🔥【浙商电子】国内存储：伏久者飞必高 产能：快速扩张有望重塑全球格局 据Omida预测，长鑫存储2024年DRAM晶圆产量为162万片，2025年将增至273万片，yoy+68%。其中，2024年月均DRAM晶圆产量为10万片（以DDR4为主），25Q1增至 20万片/月，预计2026年增至30万片/月。据媒体报道，美国准备取消台积电、三星、海力士等向其中国工厂运输美国芯片制造设备，如属实或后续落地执行，将加速推动国内存储从制造、设备、材料到封测等全环节国产化进程。同时，随着长鑫产能持续释放，及更多转向高毛利DDR5、HBM等产品，有望打破“三足鼎立”，国内存储或将迎来发展新纪元。 份额：持续提升有望影响供应体系 据Counterpoint预测，长鑫存储2025年DRAM出货量yoy+50%，25Q1其在DRAM市场出货份额预计为6%，25Q4将增至8%。其中，在DDR5市场份额25Q1不到1%，至年底将增至7%；LPDDR5将从25Q1的0.5%到年底增至9%。据Trendforce预测，25Q3中国DRAM+NAND出货量份额预计将超10%。未来“规模增长、份额提升、结构优化“三轮驱动，有望带动国内存储进入发展快车道。 产品：不断突破有望缩小技术差距 据韩媒报道，长鑫存储计划在2025年底前交付HBM3样品，从2026年开始全面量产，2027年开发HBM3E。据CFM数据，2024年全球存储市场规模达1670亿美元，创历史新高，2025年DRAM/NAND Flash bit容量需求同比增长超10%；其中，2025年HBM有望达300亿美元，占DRAM市场规模约30%。随着国内DDR5良率持续提升、HBM产品不断突破等，有望带动相关产业链公司业绩释放与盈利改善。 建议关注 经销：香农芯创 模组：德明利、佰维存储、*江波龙等 设计：*兆易创新等 接口芯片：*澜起科技、聚辰股份等 注*为公告拟发H股 风险提示： 国内技术与相关公司产品进度不及预期、需求不及预期、市场竞争加剧等。 浙商电子 王凌涛/褚旭