据国外科技媒体wccftech报道，台积电再短期内不会加入高数值孔径（High-NA）极紫外光刻（EUV）的行列。据透露，该公司将跳过用于A14工艺的光刻技术。

在采用高数值孔径极紫外光刻技术方面，台积电如今已落后于英特尔代工等企业，将继续依赖较旧的EUV光刻机。

台积电会仔细评估诸如新晶体管结构和新工具等技术创新，并在将其应用于大规模生产之前，考虑这些技术的成熟度、成本以及对客户的益处。台积电计划首先引入高数值孔径极紫外光刻设备用于研发，以开发客户推动创新所需的相关基础设施和图案化解决方案。

在半导体中采用更新的元素时，台积电多年来一直是先驱，并且经常引领潮流。但如今，该公司似乎将跳过在其A14工艺中使用高数值孔径极紫外光刻工具，因为它将依赖更为传统的0.33数值孔径极紫外光刻技术。这一消息是在数值孔径技术研讨会上披露的，台积电高级副总裁张晓强（Kevin Zhang）在会上宣布了这一进展（消息来源：Bits & Chips）。由此可以肯定地说，英特尔代工和几家DRAM制造商如今在技术上领先于台积电。

张晓强表示，台积电不会使用高数值孔径极紫外光刻技术来为A14芯片进行图案化处理，A14芯片的制造计划于2028年开始。从2纳米工艺到A14工艺，我们无需使用高数值孔径极紫外光刻技术，但我们在工艺步骤方面仍可保持类似的复杂程度。每一代技术，我们都试图尽量减少掩膜数量的增加。这对于提供具有成本效益的解决方案来说非常重要。

台积电认为高数值孔径极紫外光刻技术对A14工艺不重要的主要原因在于，使用相关的光刻工具，台积电可能会发现成本相比传统极紫外光刻方法最高会上涨2.5倍，这最终将使A14工艺节点的生产成本大幅提高，这意味着其在消费产品中的应用会变得困难。但这当然不意味着该公司在未来的工艺中不会采用高数值孔径极紫外光刻技术，因为它计划在A14P工艺节点上使用这项技术。

高数值孔径极紫外光刻技术导致成本上升的另一个原因是，台积电的A14芯片在单层芯片设计中需要多个掩膜，而使用最新的光刻工具仅仅意味着这家台湾巨头在没有太多益处的情况下推高了成本。相反，通过专注于0.33数值孔径极紫外光刻技术，台积电可以使用多重图案化技术来维持相同水平的设计复杂度，而无需高数值孔径极紫外光刻技术的极高精度，最终使生产成本保持在较低水平。

有趣的是，台积电不采用高数值孔径极紫外光刻技术的决定确实使其在采用最新工具方面落后于英特尔代工等企业，因为据说英特尔将在18A工艺中使用高数值孔径极紫外光刻技术，预计该工艺最早明年就会推出。由于台积电的目标是在2029年实现A14P工艺，相比竞争对手，台积电在采用高数值孔径极紫外光刻技术应用方面至少会有四年的延迟，这一决定可能会让竞争对手占据一些优势。