9月5日，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。
目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代RubinGPU仍会采用硅中间基板。
但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。(台湾财讯双周刊)
9月5日，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。
目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代RubinGPU仍会采用硅中间基板。
但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。(台湾财讯双周刊)
