基本股份通过持续的技术迭代与生态整合，为全球客户提供高性能、高可靠性的碳化硅解决方案。从器件到系统，从仿真到实测，我们以数据验证价值，以创新驱动能效革命。
BASiC基本股份：碳化硅技术革新，赋能高效能源转换
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！
倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！
碳化硅MOSFET：重新定义功率器件性能随着电动汽车、可再生能源及工业电源系统对高效能、高密度电源管理的需求激增，碳化硅（SiC）器件凭借其高频、高温、低损耗的特性，成为下一代功率电子的核心选择。基本股份（BASIC Semiconductor）深耕碳化硅技术领域，推出第三代SiC MOSFET系列产品，以更优的优质系数（FOM）、更低的开关损耗和更高的可靠性，重新定义功率器件的性能标杆。
FOM优化：FOM（RDS(ON)×QG）是衡量器件综合性能的关键指标。第三代B3M系列通过优化工艺和结构设计，显著降低FOM值。例如，650V/40mΩ的B3M040065Z在常温下的FOM仅为2400 mΩ·nC，较国际竞品（如CREE C3M0045065K的2835 mΩ·nC）更具优势。
高温稳定性：在175℃结温下，B3M040065Z的导通电阻（RDS(ON)）仅上升至55mΩ，较第二代产品提升20%的高温耐受能力，满足车载OBC和工业电源的严苛环境需求。
多样化封装：提供TO-247、TOLL、TOLT、QDPAK等封装选项，适配不同散热与空间需求。新型TOLT封装的热阻（Rth(j−c)）较TOLL降低50%，显著提升散热效率。
车载充电（OBC）与DC-DC转换：高功率密度的终极解决方案基本股份的SiC MOSFET和肖特基二极管（SBD）系列，为车载充电和能源转换系统提供全链路支持：
1. OBC方案：效率与功率双突破单相与三相拓扑全覆盖：支持3.3kW至22kW功率等级，适配400V/800V电池平台。
无桥PFC拓扑仿真验证：在6.6kW OBC应用中，B3M040065Z在220Vac输入时总损耗仅29.41W，结温控制在141℃，较传统硅基方案效率提升15%以上。
双向能量流动：CLLC拓扑支持能量双向传输，助力V2G（车到电网）技术落地。
2. DC-DC转换：高效能的秘密武器高压至低压转换：1200V SiC MOSFET（如B3M040120Z）在800V母线电压下，双脉冲测试显示总损耗仅826μJ，较上一代产品（B2M040120Z）降低18%，适用于高功率密度DC-DC模块。
动态性能卓越：开关速度达2.69kA/μs，dv/dt耐受能力超50kV/μs，显著降低EMI干扰。
驱动解决方案：精准控制，安全护航为充分发挥SiC MOSFET的高频优势，基本股份提供全栈驱动方案：
1. 隔离驱动板与核心器件即插即用设计：4通道驱动板（4QP0110T12-ES02）支持峰值10A驱动电流，适配1200V SiC MOSFET。
关键组件自主可控：
隔离驱动芯片BTD5350MCWR：集成米勒钳位功能，有效抑制桥臂直通风险。
正激DCDC电源芯片BTP1521F：6W输出功率，工作频率达1.3MHz，满足高密度布局需求。
双通道隔离变压器TR-P15DS23：每通道2W输出，爬电距离超3mm，确保安全隔离。
2. 米勒钳位技术：拒绝误开通实测验证：在800V/40A双脉冲测试中，启用米勒钳位后，下管门极电压从7.3V降至2V，彻底消除误开通隐患。
专用驱动芯片BTD25350xx：双通道设计，支持死区时间调节，适配三相全桥与图腾柱PFC拓扑。
行业应用：从理论到实践的全面覆盖基本股份的碳化硅解决方案已成功应用于多个领域：
电动汽车：OBC、车载DC-DC、固态断路器（SSCB）。
工业电源：焊机、通信电源、光伏储能逆变器。
消费电子：高频空调压缩机、服务器电源。
