考虑到现代设计对SRAM（静态随机存取存储器）的高度依赖，SRAM单元的大小和密度成为了新制造技术的关键特性。

根据ISSCC 2025预先发布的计划，英特尔18A制造工艺（1.8纳米级）的SRAM密度明显低于台积电N2（2纳米级），而更接近台积电的N3。不过，英特尔的18A可能在其他方面具有重大优势。

英特尔的18A制造工艺采用了高密度SRAM位单元，尺寸为0.021微平方米（从而实现约31.8Mb/mm²的SRAM密度），与英特尔4代中0.024微平方米的高密度SRAM位单元相比有了显著提升，但与台积电的N3E和N5相当。相比之下，台积电的N2制造技术将高密度SRAM位单元尺寸缩小至约0.0175微平方米，实现了38Mb/mm²的SRAM密度。

18A和N2都采用了环绕栅极（GAA）晶体管，但与英特尔不同，台积电在其依赖鳍式场效晶体管（FinFET）的前代技术基础上，成功地将高密度SRAM位单元尺寸大幅缩小。值得注意的是，除了SRAM位单元尺寸外，SRAM的另一个关键特性是功耗，而我们目前尚不清楚18A和N2在这一指标上的对比情况。

谈及英特尔的18A，该节点相比其前代产品具有两大优势：GAA晶体管和背面供电网络（BSPDN）。BSPDN不仅有望改善对晶体管的供电，从而提高某些设计的性能效率，还能使设计师设计出更小的芯片，从而提高逻辑密度。

尽管现代芯片设计大量使用SRAM，且其密度对于节点间的缩放至关重要，但逻辑密度比高密度SRAM（HDC SRAM）密度更为重要。目前，我们还无法比较英特尔18A和台积电N2在这一指标上的表现。此外，逻辑密度难以估算，因为每种工艺技术都有高密度、高性能和低功耗的库，这些库通常会在单个设计中混合使用。至于抽象处理器的逻辑密度，英特尔和台积电尚未公布相关数据。

在现代工艺技术中，最难缩放的是SRAM密度，这归因于其设计的复杂性、稳定性和可靠性的运行要求，以及在更小节点上增加的变异性。因此，某些现代技术相比其他生产节点具有更大的SRAM单元尺寸也就不足为奇了。