目前，全球首例基于石墨烯制备的功能半导体已在国际知名期刊Nature上发表。

据悉，该课题由天津大学的科研团队牵头，命名为《碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯》。

石墨烯是一种可用于制造晶体管的材料，它具有很高的稳定性，能够在原子量级上稳定工作。与此形成鲜明对比的是，硅基电晶体在低于10 nm时，其稳定性就会下降。

马雷的研究小组利用一种特制的熔炼法，在覆有一层有机膜的碳化硅晶片上，制备出大面积的类石墨烯单晶。

这种材料生长在碳化硅的表面，与石墨烯的结构类似，但电导率却不高。

实验结果显示，该半导体型石墨烯的载流子迁移率是硅的10倍。

本项目的实施将为石墨烯电子器件的实用化奠定基础。然而，石墨烯半导体的普及，还需要十年到十五年的时间。