铠侠与闪迪合作，推出了第 10 代 3D NAND （BiSC 10），这是世界上第一款具有 332 层的闪存。与前几代产品相比，它将提供更高的封装速度和密度，以及更好的能源效率。

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新的 3D 闪存采用 CBA （CMOS 直接键合到阵列） 和 SCA （独立命令地址） 技术，以及功率隔离低抽头终端 （PI-LTT） 技术，进一步降低了 10% 的写入功耗和 34% 的读取功耗。但最重要的成就是使用新的 Toggle DDR6.0 接口，该接口提供高达 4.8 GB/s 的速度。

铠侠指出，与目前的第 8 代 3D NAND （BiSC 8） 相比，速度提高了 33%，部分原因是内存层数从 218 层增加到 332 层，即增加了 38%。虽然 332 层远未达到该公司到 2027 年创建 1000 层 3D NAND 的目标，但这仍然是一个令人印象深刻的结果。铠侠声称，与 218 层相比，使用 332 层闪存还将面密度提高了 59%。

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Kioxia还强调能源效率，因为这是现代闪存的重要方面，在人工智能系统对能源消耗的需求不断增长的背景下。“随着人工智能技术的普及，数据生成量预计将大幅增加，以及现代数据中心对提高能源效率的需求也将大幅增加，”Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示。他认为，对低能耗产品的需求将为人工智能的发展奠定基础。

值得注意的是，Kioxia和SanDisk也提到了第9代3D NAND闪存的开发，但没有透露有关其特性和功能的信息。目前还没有迹象表明已开始大规模生产新标准的闪存。考虑到第9代产品甚至还没有开始交付的事实，我们可以肯定地假设，第10代闪存的发布将是一个相当遥远的未来。到目前为止，该公司还没有展示新的闪存。