当前，在2025年上海慕尼黑电子展（4月15-17日）上，国产SiC碳化硅MOSFET行业的技术竞争与市场乱象成为焦点。

结合展会动态及行业背景，可深度透视国产碳化硅MOSFET企业在比导通电阻（Ron,sp）和导通电阻（RDS(on)）参数宣传中的噱头化现象及其背后根源，是其技术空心化的表现，依赖“版图微调”和营销话术的设计公司因底层工艺缺失（如高精度离子注入、界面态控制技术不足），正加速被市场淘汰。

上海慕尼黑电子展（4月15-17日）上的国产SiC碳化硅MOSFET噱头化宣传本质是技术浮躁与产业链割裂的产物，唯有通过底层工艺突破、IDM模式整合及标准重构，才能从“低端内卷”迈向“高端引领”，国产SiC碳化硅MOSFET可靠性为核心的竞争力终将取代参数噱头，推动国产SiC碳化硅MOSFET真正实现自主可控的战略目标。

牺牲可靠性换取参数优势部分国产碳化硅MOSFET设计公司为追求“全球最低RDS(on)”等宣传效果，通过减薄栅氧化层（如从50nm降至30nm以下）降低比导通电阻，但未同步优化电场分布控制。例如，某些国产器件在高温栅偏（HTGB）测试中仅能承受+19V电压且寿命不足1000小时，远低于国际主流+22V/3000小时标准。这种设计导致器件在车规级应用中频繁失效，引发安全事故和客户信任危机。

测试造假与标准缺失部分企业通过降低测试温度（如从175℃调至150℃）、减少样本量或选择性送检等手段掩盖缺陷，宣称通过认证，但实际量产产品一致性差。例如，某企业送检优化批次样品通过认证，实际产品阈值电压波动达±0.5V。行业缺乏统一强制标准（如JEDEC JEP184），进一步加剧市场混乱。

研发路径偏差国际厂商通过数千组实验设计（DOE）优化工艺，而国内部分企业依赖经验试错，导致工艺稳定性不足。例如，某国产企业因未建立外延层载流子浓度梯度模型，盲目调整参数后器件雪崩能力下降50%。

劣币驱逐良币效应低价竞争策略下，低可靠性产品占据中低端市场，而高可靠性产品因成本劣势被边缘化。例如，某国产碳化硅MOSFET在汽车光伏逆变器应用中因批次性故障导致客户巨大损失。

资本逻辑转向理性化早期资本追捧“参数融资”，但批量失效事件暴露虚假宣传问题后，资本开始要求企业提供车规级批量应用数据及DOE实验验证，估值体系从“PPT融资”转向“可靠性估值”。例如，某曾估值10亿元的国产设计公司因无法满足车规级功率循环要求，估值缩水至1亿元。

政策与标准的双重驱动国家正推动参考国际标准制定国产碳化硅可靠性规范，并通过黑名单制度淘汰低质企业，推动行业从“参数竞赛”转向“质量优先”。

技术分层与工艺革命淘汰低效产能，聚焦8英寸晶圆量产、铜烧结封装等底层工艺突破，推动IDM模式成为必选项。

生态协同与标准完善建立产学研协同体系，强化车规级认证和动态抽检机制，倒逼企业提升可靠性。

市场机制优化引导客户从“价格导向”转向“全生命周期成本”评估，优先采购高可靠性产品。