11月12日，中国最大闪存芯片制造商长江存储在美国加利福尼亚北区法院提起专利侵权诉讼，状告美光及其子公司。起诉书指控美光未经授权使用长江存储的多项3D NAND技术专利，要求法院禁止其继续使用相关专利，并赔偿损失和诉讼费用。

随着半导体产业的发展，存储芯片作为关键组件之一，成为科技公司间竞争的焦点。中国存储芯片企业长江存储，成立于2016年，总部位于湖北武汉，专注于设计和制造3D NAND闪存芯片。该公司通过自研的Xtacking（晶栈）架构，在技术上取得了重要突破。

相对而言，美光则是存储芯片领域的巨头，拥有雄厚的技术实力和市场份额。在NAND市场，美光的市场份额在2023年二季度达到13%，位列第五。

长江存储在起诉书中指称，美光侵犯了其8项3D NAND技术专利，这些专利涉及到3D NAND存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触（TAC）、读取方法和多层堆叠方法等方面。长江存储指责美光的多款固态硬盘产品侵犯了这些专利。

诉状中还披露，长江存储要求法院禁止美光继续使用其专利，并要求对侵权行为进行赔偿，包括赔偿损失和诉讼费用。针对美光未经授权而使用长江存储专利技术，起诉书中明确指出这给长江存储带来了严重的经济损失。

专利涵盖范围

起诉书中列出的8项专利分别为：

US10,950,623：3D NAND存储器件及其形成方法

US11,501,822：非易失性存储装置及控制方法

US10,658,378：三维存储器件的直通阵列接触(TAC)

US10,937,806：三维存储器件的直通阵列接触(TAC)

US10,861,872：三维存储器件及其形成方法

US11,468,957：NAND存储器操作的体系结构和方法

US11,600,342：三维闪存的读取方法

US10,868,031：多层堆叠三维存储器件及其制造方法

这些专利覆盖了存储技术的多个方面，包括存储器件的形成、控制、读取以及多层堆叠等关键领域。

长江存储在起诉书中表示，其已经成为全球3D NAND技术领导者，其技术创新在速度、性能、密度、可靠性和产量等方面取得了显著进展，为多种电子设备的创新提供支持。

专利诉讼在半导体行业并非罕见，而长江存储此次起诉美光的行动，被视为对其知识产权的有力维护。在专利纷争中，科技公司之间通常通过法律手段解决争端，以保护自身利益。

目前，美光尚未对起诉作出回应。专利侵权纠纷常常需要经过漫长的法律程序，最终结果可能是和解或法庭判决。对于长江存储而言，此次起诉的目的或在于制止美光的侵权行为，实现专利交叉许可，以促成双方的合作。

随着半导体行业的不断发展，存储技术的创新和竞争将持续加剧。长江存储将继续致力于技术创新，同时通过法律手段捍卫自身的知识产权。

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