为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，去年4月SK海力士宣布扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力，将位于韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并建设新工厂，计划2025年11月竣工。

据TrendForce报道，近日SK海力士在M15X工厂启动了一条试验生产线，以1β(b)nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，以满足市场不断增长的HBM需求。SK海力士打算11月之前搬入设备，并在今年第四季度举行设施落成仪式，初始产能目标是每月10,000片晶圆。

虽然竞争对手三星打算采用1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，用于下一代HBM4，但是SK海力士和美光都坚持使用1β(b)nm工艺。不过作为目前最大的HBM供应商，SK海力士首先要解决的是产能问题，以应对手上海量的订单。

前一段时间，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。英伟达下一代VeraRubin产品线将采用HBM4，随着M15X工厂投产，SK海力士拥有更大的产能来应对下一轮增长。

另一方面，三大原厂之一的美光似乎遇到了一些麻烦，不仅要努力满足英伟达对HBM4提出的更高速度规格要求，而且在SOCAMM上也达不到要求，预计从英伟达处只能获得最少的订单分配。