💥超越！国产EUV光刻机换道超车，即将试产！

​面对国外的技术封锁，我们只能创新一条路！

​中国EUV光刻机采用激光诱导放电等离子体（LDP）替代ASML的激光诱导等离子体（LPP）技术，通过高压放电激发锡蒸气产生13.5nm极紫外光。该技术路径更简洁、能耗降低40%，且制造成本显著下降。

​据外媒Wccftech报道称，国产EUV光刻机将于2025年第三季度进入试生产阶段，由华为、中芯国际等企业参与测试。初期试产目标为每小时生产250片晶圆，良率目标70%，超过ASML同级别设备的195片/小时。

​如果2025年Q3 EUV试产成功，将重塑全球半导体格局，不过正常量产仍需要3-5年。

​高端光刻机突破是中国科技的重大突破，EUV量产之时便是中国科技封顶世界之巅，势在必得，只是时间问题而已。

​只不过有个问题，中国用上了自己的光刻机，会不会进一步加剧芯片的价格战，导致产业进一步过剩，就像之前的光伏，新能源车行业？