在半导体技术的前沿领域，HBM4 DRAM（高带宽存储器）的发展正面临新的挑战与机遇。据最新消息，I/O（输入/输出）接口数量的翻倍对HBM4 DRAM Die（芯片）面积产生了显著影响，进而推动了其成本的大幅上升。

HBM4采用了先进的12Hi堆栈技术，即将12层芯片堆叠在一起，以实现更高的存储密度和带宽。然而，这种堆叠技术的复杂性导致了芯片面积的增加，尤其是在I/O接口数量翻倍的情况下，芯片的物理尺寸和制造难度都大幅提升。这使得HBM4 DRAM的制造成本急剧上升，单个芯片的价格预计将超过600美元。数码