Tom Hardware信息，台积电N2制程试产良率达到60%，25年下半年量产。与当前N3工艺相比，N2性能提升15%，能效提升35%，晶体管密度提高15%。

N2 纳米片晶体管的每瓦性能优于 FinFET，特别在 0.5V 至 0.6V 的低电源电压下。0.5V 的待机功耗降低75%。

就是整个工艺节点实在太贵了，连苹果都没有在第一时间商用在手机上。