中国研制的最新的光刻机技术指标中,分辨率可以达到65纳米以下,套刻精度在8纳米以下,根据专家的说法,光刻机的光刻精度分辨率65纳米,代表的意思是单次曝光可以达到的工艺制成节点,在65纳米左右, 咱们现有的最先进的这个光刻机,最理想的情况下,也就能生产60纳米左右的芯片。
中国研制的最新的光刻机技术指标中,分辨率可以达到65纳米以下,套刻精度在8纳米以下,根据专家的说法,光刻机的光刻精度分辨率65纳米,代表的意思是单次曝光可以达到的工艺制成节点,在65纳米左右, 咱们现有的最先进的这个光刻机,最理想的情况下,也就能生产60纳米左右的芯片。
评论列表