【华硕推出NitroPath DRAM技术】近日，华硕推出了一项专门针对内存超频的新技术——NitroPath DRAM，对传统的内存插槽进行重新设计，以达到缩短传输距离、降低信号干扰等效果，据称至高能做到超频性能提升400MT/s。应用了NitroPath DRAM技术的内存插槽相比传统内存插槽，主要是在与内存金手指接触的引脚上做出了变化。NitroPath DRAM的引脚线路更短，且凭借更合理的物理结构设计，提供更好的弹性，增强对内存的固定压力。其中，内存插入时的侧向压力从传统的6.23kgf提升至7.46kgf，拔出时释放的的侧向压力从传统的3.88kgf提升至4.84kgf，插入后的持续压力从传统的4.72kgf提升至7.42kgf，有效减少内存出现接触不良或松动的情况，带来更加稳定高效的传输性能。