【西数介绍BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片】近日，西部数据在投资者活动上介绍了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存，这是目前业界最高密度的闪存芯片，将打造更快、更大、功耗更低的SSD。其采用了218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术。 据报道，西部数据分享了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品相比，功耗、存储密度和I/O性能的表现都得到了提升。一个闪存颗粒是由多个NAND闪存芯片堆叠封装而成，这意味着存储厂商使用16个新款闪存芯片堆叠，就能在单个封装中提供4TB。根据西部数据的说法，BiCS8 2Tb QLC NAND闪存的密度比起竞争对手高出15~19%，I/O接口速度比竞争对手快了50%，同时每GB数据所需要的程序能效比竞争对手低了13%。西部数据还介绍了制造方法，采用的是CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起，有点类似于长江存储的Xtacking架构。