【三星宣布3nm芯片成功流片】5月8日，三星电子宣布，3nm芯片顺利流片，为芯片的大规模量产做好了准备。据悉，三星与Synopsys公司合作，双方对整个芯片制造过程进行微调，从而最大限度提升芯片良率。这是三星第一款3nm芯片，采用Gate All Around（GAA）工艺，三星GAA设计被称为MCBFET，即多信道桥式FET。三星表示，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与4nm FinFET工艺相比，能效和密度有20%至30%的提升。