GaN(镓氮)和AlN(铝氮)在六方纤锌矿结构中，如何实现GANHEMT的相互协调   前言：根据能源或电力公司的一项调查，电力公司并没有像电力公司那样提供电力和“热能”，全球变暖是一个不可逆转的趋势，因为二氧化碳排放是一个不可逆转的趋势，在这种情况下，能源效率和能源资源的分配就变得越来越重要，同时能源和能源发展的进程也显得尤为关键。   然而，为了将电力系统中的能源和能源集中起来，提高能源和能源的效率，世界上最少的能源消耗和最少的物质消耗都来自这个系统，能源消耗越来越少，经济增长越来越快，这无疑是一个巨大的挑战，正如科斯滕所说的，基础设施和能源的整合是一个巨大的挑战。   事实上，在全球变暖的背景下，世界上最大的电力公司和最大的可再生能源公司正在进行合作，电子系统中的六方纤锌矿结构在这一项目中的作用是由可持续发展引起的，或者说是一种可持续发展的能源。   在六方纤锌矿结构中，GaN(镓氮化物)和AlN(铝氮化物)是自发极化和压电极化的，北干-HEMT(Galliumnitrid-hochleistungselektronentransitor)在一个或多个位置上处于领先地位，在自发极化中处于领先地位，这些丰富的内容被称为“Ga-Face”技术，是金属有机化合物(MOVPE)技术的重要组成部分。   其中，z-rich包含了芯片商的正常行为，一个中心是极化，另一个中心是极化梯度，这是一个压电极化的例子，在阿尔甘和甘之间有一个两极分化的梯度，这个极化梯度等于-∇ P在格林茨弗勒的一个工业区。   而另一个由自然极化Psp和压电极化Ppe产生的能量：σint = Pz，sp，GaN + Pz，pe，GaN - (Pz，sp，AlGaN + Pz，pe，AlGaN) 。   与此同时，阿尔甘-施蒂希特也展示了这一潜力，费米能级在未来的发展中可能会成为一个二维电子能级，这种消极的中立态度导致了物质上的损失，其后果是：Qcomp = Q2DEG + Qsp，GaN + Qacc1 - Qdepl。   第二阶段，在全球范围内实现自发极化，第一阶段，在全球范围内实现可持续发展，我们可以在阿尔甘的土地上，看到这样的景象，在费米能级下，2DEG和AlGaN-Schicht之间的距离开始缩短：ns =σint/q-εAlGaN * dq^2/(q *φb+⇼ef-⇼EC)   其中σint，εAlGaN，φb，EF和Ec来自于AlGaN abhä ngig sind中的铝浓度，事实上，在整个工作过程中，在GaN-HEMT范围内观察到开关速度的显著增加和动态电阻增加的显著减少，使用目前可用的GaN晶体管，在相同的正向电阻下，通常可以实现比可比的Si和SiC器件更高的开关速度和更小的开关损耗。   但本次研究表明，特别是在器件与电路的接口上，仍有很大的优化潜力，在费迪南德·布劳恩研究所研究的晶体管中，交叉传导被确定为进一步降低导通损耗的决定性限制，由于现场板的优化和控制的调整，这些损耗可以显著降低，但漏极和栅极源极容量之间的关系应进一步最小化。   不仅如此，第三象限正向电压和控制电压之间的耦合已被公认为半桥电路中关断过程中换向谐振的关键机制，当功率电路和栅极电路的谐振频率接近时，这就变得特别有问题，在电路设计中应考虑到这一点，在这方面，必须特别注意HEMT门电容向后方向的强烈变化，而这些变化在当前的商用交换机型号中没有考虑。   但无论如何，我们应避免在p-GaN栅极上具有极小泄漏电流的肖特基触点，因为它减少了对2DEG中电荷的控制，并导致转移特性的动态位移，在最极端的情况下，这也会影响动态导通电阻。   然而，欧姆触点会导致高栅极电流，需要更复杂的驱动器概念来实现高导通速度，由于栅极上的这种变化，很难设计一个最佳地驱动不同类型的GaN HEMT的栅极驱动器，因此，为了适应寄生元件，建议集成特别优化的门驱动器。   总结：通过这次研究，我们发现在最佳情况下，门电路和功率电路应相互协调，因此功率电路的集成作为一个整体优化的开关单元似乎是非常有意义的。   有限元模拟表明，在这些开关速度趋向于增加的开关单元中，波效应已经被考虑在内，由于这些效应传播到输出滤波器中，所以在未来的开关单元优化中也应考虑滤波器，至少作为小型du/dt滤波器。   因此，高频场应限制在尽可能小的空间内，在该空间内，布局和绝缘材料应特别适应高陡度，然而，10 kW DC-DC/转换器的设计表明，即使快速开关的潜力尚未充分发挥，目前的GANHEMT也能实现非常高效和紧凑的转换器，即使采用仔细的常规电路和结构技术，甚至具有显著的动态电阻增加。