【三星明年带来第9代V-NAND技术】近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也会得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。