【三星正在开发HBM4】近日，三星执行副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang在官方的一篇采访报道中透露，目前三星正在开发HBM4，其中包括针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，预计在2025年推出。此前有消息指出，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。目前三星已经量产了HBM2E和HBM3，并开发了速率为9.8 Gbps的HBM3E，将很快向客户提供样品，以丰富高性能计算（HPC）和人工智能（AI）生态系统。三星还对新的HBM-PIM (processing-in-memory) 寄予厚望，通过加入计算功能，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，不但改善了内存带宽的瓶颈，而且在语音识别等特定工作负载中实现了高达12倍的性能提升和4倍的能效提升。