【美光推出1β工艺DRAM的16Gb DDR5内存】美光日前宣布，推出使用最新的1β（1-beta）工艺节点批量生产的16Gb DDR5内存，速率达到了7200MT/s。美光表示，新款DRAM芯片采用了high-k CMOS器件技术，相比上一代产品，性能提升了50%，每瓦性能提高了33%，现已交付给所有数据中心和PC客户。美光核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway表示，采用1β工艺节点的DDR5内存进入大批量生产及应用是行业内的一个重要里程碑，与生态系统合作伙伴及客户合作将推动高性能内存更快地被采用。美光将会有多款产品采用1β工艺节点，除了DDR5外，还包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。