近期，韩国媒体爆出，三星半导体代工业务正面临困境，尤其是在其最先进的第二代3纳米GAP制程上，良率仅为20%，远远低于预期目标。这使得三星自主研发的Exynos处理器生产出现严重问题，不得不寻求其他代工合作伙伴，而台积电成为了最有可能的选择。

早在数年前，三星凭借其技术实力，在全球半导体代工领域占据重要位置，并且率先推出了基于GAA（环绕栅极）架构的3纳米制程技术，相比之下，台积电的N3B制程稍晚才量产。三星的这项技术在理论上具有显著的功耗优势和性能提升。然而，尽管三星宣布第一代3纳米GAA工艺的时间领先台积电近半年，实际情况却不如预期。根据外媒报道，三星第一代3纳米工艺的良率仅为60%，而其最新的第二代3纳米GAP工艺良率甚至仅为20%，远低于三星设定的70%的目标。

良率是芯片制造中关键的一环，低良率意味着每一片晶圆上成功制造出的合格芯片数量较少，从而增加了生产成本。对于三星而言，良率问题直接导致其代工业务的盈利能力受损，并且由于客户订单不足，三星不得不关闭部分旧制程的产线，同时调整先进制程的产能规划。

三星自研的Exynos处理器一度是其Galaxy系列手机的核心芯片之一，意在减少对高通Snapdragon处理器的依赖。然而，随着3纳米制程的推进，Exynos系列芯片的制造陷入了困境。外界传闻，原计划用于2025年推出的Galaxy S25系列手机的Exynos 2500处理器，因三星的3纳米制程良率问题，将无法及时量产。三星不得不转而更多依赖高通的Snapdragon 8 Elite处理器，确保新一代旗舰手机的上市进度。

尽管三星并不打算放弃Exynos芯片的研发，但由于自身代工技术难以支持量产，三星必须寻找其他代工厂来帮助完成这些高端芯片的制造。

面对自身代工业务的困境，三星可能被迫将Exynos芯片的生产外包给其最大的竞争对手——台积电。这一举动与当前半导体行业的趋势相契合。例如，英特尔近年来也选择将部分芯片外包给台积电生产，以便更好地利用台积电在先进制程上的领先优势。台积电作为全球最先进的晶圆代工厂，拥有成熟的3纳米N3B制程技术，并且已经为多家顶级客户（如苹果、AMD、NVIDIA）生产芯片，良率表现相对稳定。

据报道，虽然三星内部代工部门仍在努力提升3纳米GAA制程的良率，但在市场竞争的压力下，三星不得不考虑与台积电合作的可能性。台积电不仅在技术上领先，而且其成熟的供应链和生产管理体系能够保证大规模量产，为三星的Exynos系列提供稳定的生产能力。

虽然台积电作为三星潜在合作伙伴具备技术优势，但这项合作仍存在一定的阻碍。首先，两家公司作为直接竞争对手，三星选择将高端Exynos芯片交给台积电代工，可能涉及商业利益和战略层面的复杂考量。此外，三星半导体的代工部门仍是三星电子的一部分，作为集团内部的重要业务单元，如何在内部结构上进行调整，也是促成与台积电合作的难题之一。

有分析指出，如果三星未来将代工业务进一步拆分或独立出来，可能有助于缓解与台积电的利益冲突，从而推动合作的实现。

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