在全球半导体行业内，三星电子与SK海力士凭借在内存芯片市场的卓越表现，堪称两大巨头。然而，近期市场动态及行业发展趋势表明，SK海力士正凭借其在高带宽内存（HBM）领域的亮眼成绩，向三星电子长期占据的市场领导地位发起冲击。
明年HBM4将成主流目前，HBM市场主要被三大DRAM原厂牢牢占据，特别是韩系厂商SK海力士和三星。由于在技术上具有更长远的积淀，SK海力士赢得市场龙头地位，且在产品迭代周期上更具优势。不过，如果三星在HBM4是实现弯道超车，便有望一举超越SK海力士，向市场龙头宝座发起冲击。
从来技术原理来看，HBM具备诸多方面的优势。首先，由于HBM通过3D堆叠技术和优化的信号传输方式，能够提供远超传统DRAM的带宽，满足高性能计算、人工智能等数据密集型应用对大量数据传输的需求；第二，其垂直堆叠结构减少了数据传输距离，TSV技术的应用也有助于降低功耗，使其在高性能计算中更加节能；第三，3D堆叠技术使得HBM在相同芯片面积内可以集成更多DRAM层，提供更大的内存容量，同时内存模块尺寸大大减小，有助于实现更紧凑的系统设计。
总体而言，凭借高带宽、低功耗、高容量与小尺寸方面的优势特性，为HBM带来广阔的应用场景，包括高性能计算、人工智能与机器学习、数据中心和移动设备与汽车电子等。
存储器巨头加大 HBM 先进封装力度除了美光之外，HBM市场的另外两大参与者SK海力士和三星电子近年来也加大了对先进封装的投资。
对于SK海力士来说，其最受关注的项目是在美国建设先进封装工厂。2024年4月，SK海力士宣布计划在美国印第安纳州西拉斐特建立一个AI优化的存储器先进封装生产工厂。
该公司还计划与当地研究机构合作进行半导体研发，预计投资额为 38.7 亿美元。
SK Hynix预计印第安纳州工厂将于2028年下半年开始量产下一代面向AI的HBM存储器产品。该项目已获得美国商务部4.58亿美元的资金，同时还从美国CHIPS项目办公室获得了高达5亿美元的贷款。与此同时，三星电子也在国内外扩大对先进半导体封装的投资，重点关注中国、日本和韩国。
中国：三星已在苏州建立了测试和封装工厂，这是其最重要的海外生产基地之一。
日本：三星正在横滨建立一个先进封装实验室，致力于开发用于 HBM、AI 和 5G 技术等高价值应用的下一代封装技术。
韩国：三星正在扩建位于忠清南道的半导体封装工厂，以提高 HBM 产量。扩建工程预计将于 2027 年 12 月完成，并将包括用于 HBM 芯片的先进封装生产线。
从旁观者到参赛者，国内产业链迎来黄金机遇期在全球HBM技术的激烈竞争中，美光科技、SK海力士与三星电子三大巨头正上演着一场科技与市场的巅峰对决。然而，国内存储厂商却仿佛置身事外难以直接品尝胜利的果实。HBM，这一被美国出口管制紧紧束缚的高性能领域，如同一道难以逾越的鸿沟，让国内企业在合规的枷锁下步履维艰，现阶段大多只能徘徊在上游材料供应的边缘，难以触及核心技术的腹地。
但目前，国产HBM产业也已步入快车道，通过引进先进技术、强化自主创新、优化产品设计，提升HBM芯片性能与质量，加速国产HBM产业国际化步伐。未来，随着技术的不断成熟和市场的持续扩大，国产HBM产业有望迎来爆发式增长。
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