近日，三星电子宣布，正加速推进其位于中国西安的存储芯片工厂的升级计划，将该工厂的主流NAND闪存工艺从当前的128层（V6）直接跃升至286层（V9），以积极应对全球半导体市场的低迷态势，并有效抵御来自中国本土半导体企业的日益加剧的竞争压力。

自2023年起，三星电子便启动了西安工厂从主流128层（V6）NAND工艺向更先进的236层（V8）生产线的转型步伐，并在此坚实基础上，毅然决定迈出更大一步，引入V9生产线，以技术革新引领行业发展。公司规划于今年上半年引入尖端设备，并力争在下半年成功搭建起一条月产能介于2000至5000片晶圆之间的全新生产线，进一步巩固其市场地位。

作为三星唯一的海外存储芯片制造重镇，西安工厂在全球供应链版图中扮演着举足轻重的角色，其产量约占三星NAND闪存总产量的40%，此次工艺升级预计将为该厂的产能带来显著提升。尤为值得一提的是，三星电子凭借美国拜登政府授予的“经过验证的最终用户（VEU）”许可，得以在中国继续推进超过200层NAND的生产，保持了其在先进制造工艺领域的领先地位。

与此同时，三星电子在韩国本土的NAND工艺升级步伐亦未停歇，计划自2024年下半年起，在平泽P1工厂量产线上引入400层（V10）NAND技术，进一步拓宽其产品线的深度与广度。三星电子明确表示，将加速向236层及286层NAND技术的过渡进程，以此作为确保公司长期产品竞争力的关键战略之一。

西安工厂作为三星唯一的海外存储芯片生产基地，对三星的全球供应链布局具有举足轻重的地位，其NAND闪存产量约占三星全球总产量的40%。此次升级到286层NAND工艺预计将显著提升该工厂的生产效率和产品竞争力。

业内人士指出，三星电子在升级中国西安工厂的同时，也在韩国本土积极扩展先进的NAND闪存工艺。这种“双管齐下”的策略充分展示了三星致力于在全球范围内保持竞争优势的决心和实力。此外，三星还计划自2024年下半年起，在韩国的平泽P1工厂实现400层（V10）NAND闪存的初步量产。

尽管面临全球移动和PC市场需求低迷、价格上涨以及利率上涨等多重经济因素的挑战，三星电子仍表示将坚定推进向236层和286层NAND闪存的过渡计划。

据三星预测，今年第一季度其NAND闪存单元月产量将达到42万个，较上一季度减少25%。随着人工智能（AI）数据中心等新兴行业对高性能、高容量存储芯片需求的不断增长，三星等半导体巨头正积极调整产品结构，聚焦高端市场的开拓与发展。

免责声明：

1、本号不对发布的任何信息的可用性、准确性、时效性、有效性或完整性作出声明或保证，并在此声明不承担信息可能产生的任何责任、任何后果。

2、本号非商业、非营利性，转载的内容并不代表赞同其观点和对其真实性负责，也无意构成任何其他引导。本号不对转载或发布的任何信息存在的不准确或错误，负任何直接或间接责任。

3、本号部分资料、素材、文字、图片等来源于互联网，所有转载都已经注明来源出处。如果您发现有侵犯您的知识产权以及个人合法权益的作品，请与我们取得联系，我们会及时修改或删除。