据悉，台积电再短期内不会加入高数值孔径（High-NA）极紫外光刻（EUV）的行列。据透露，该公司将跳过用于A14工艺的光刻技术。在采用高数值孔径极紫外光刻技术方面，台积电如今已落后于英特尔代工等企业，将继续依赖较旧的EUV光刻机。

18A工艺：反攻台积电的制程里程碑

英特尔18A（1.8nm等效）已进入风险试产阶段，2025年底将大规模量产，其技术亮点包括：

全球首款集成背面供电（PowerVia）与GAA晶体管通过将电源布线转移至晶圆背面，信号层干扰减少70%，结合RibbonFET四纳米片结构，晶体管密度较Intel 3工艺提升30%；混合键合封装突破18A-PT变体支持Foveros Direct 3D技术，实现5微米互连间距，较台积电SoIC-X（9微米）密度提升80%，适用于Clearwater Forest至强处理器的3D堆叠；客户生态拓展英伟达、博通等已基于18A试产AI加速芯片，微软计划用于自研数据中心处理器，初步测试显示功耗较台积电N2降低25%。

对比台积电N2，18A在1.1V电压下性能领先10%，但台积电凭借成本优势仍占据60%的高性能计算市场份额。

台积电1.4nm工艺来袭

台积电的A14工艺计划在2028年投产，良率表现还超出预期，这可不是吹牛。A14采用第二代GAAFET nanosheet晶体管，还升级了NanoFlex Pro技术。这就好比给芯片装上了“超级涡轮增压器”，性能直接拉满。

与今年晚些时候量产的2nm级N2工艺相比，A14在相同功耗下速度能提升15%，或者在相同速度下功耗降低30%，逻辑密度还能提升20%以上。这就好比你开车，以前跑100公里要10升油，现在只需要7升，而且还能更快到达目的地，是不是很爽？

而且，台积电还计划在2029年推出支持背面供电的A14升级版。这就好比给芯片加了个“超级充电宝”，让芯片在高负载下也能保持高性能。想想看，未来我们的手机、电脑，甚至是智能汽车，都能用上这么强大的芯片，那得多牛！

台积电这次还带来了一大波新技术，简直就是“技术大礼包”。比如SoW-X技术，能构建晶圆级大小的系统，把至少16个大型计算芯片、内存芯片、快速光互连和新技术整合在一块“餐盘大小”的基板上，计算能力是现有解决方案的40倍。

这就好比把一个超级计算机浓缩成一个小小的芯片，未来我们的设备性能得有多强大？英伟达目前的旗舰GPU还只是两颗芯片拼接，2027年推出的Rubin Ultra GPU也不过是4颗芯片拼接，台积电这波操作直接让对手“压力山大”。

再看看台积电的布局，他们宣布将在美国亚利桑那州晶圆厂附近新建两座工厂，未来还要规划6座晶圆厂、2座封装厂及1座研发中心。这可不是简单的扩张，这是在为未来芯片产业的“霸权”布局。

免责声明：

1、本号不对发布的任何信息的可用性、准确性、时效性、有效性或完整性作出声明或保证，并在此声明不承担信息可能产生的任何责任、任何后果。

2、本号非商业、非营利性，转载的内容并不代表赞同其观点和对其真实性负责，也无意构成任何其他引导。本号不对转载或发布的任何信息存在的不准确或错误，负任何直接或间接责任。

3、本号部分资料、素材、文字、图片等来源于互联网，所有转载都已经注明来源出处。如果您发现有侵犯您的知识产权以及个人合法权益的作品，请与我们取得联系，我们会及时修改或删除。