据报道，三星电子开始研发1nm晶圆代工工艺。由于在即将量产的2nm工艺等技术上与台积电存在现实差距，三星电子计划加快1nm级工艺的开发，以创造反转机会。

三星电子半导体研究所最近启动了1nm工艺的开发。部分参与2nm等最尖端工艺开发的研究员被选拔出来，组成了项目团队。在三星电子目前公开的晶圆代工工艺路线图中，2027年计划量产的1.4nm工艺是最尖端的。

据报道，三星电子开始研发1nm（纳米，10亿分之1米）晶圆代工工艺。由于在即将量产的2nm工艺等技术上与台积电存在现实差距，三星电子计划加快1nm级工艺的开发，以创造反转机会。

三星电子半导体研究所最近启动了1nm工艺的开发。部分参与2nm等最尖端工艺开发的研究员被选拔出来，组成了项目团队。在三星电子目前公开的晶圆代工工艺路线图中，2027年计划量产的1.4nm工艺是最尖端的。

1nm工艺需要打破现有设计框架的新技术概念，以及引入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻机等下一代设备。消息称，三星方面将量产时间定在2029年之后。

在三星电子正在量产的3nm和今年计划量产的2nm领域，三星技术落后于台积电。特别是在2纳米方面，台积电的良率已超过60%，与三星电子的差距不小，因此提前启动了1nm工艺开发。

与此同时，三星的竞争对手也在加快1nm级工艺的开发。台积电去年4月宣布将在2026年下半年开始生产介于1.4nm和2nm之间的1.6nm（16A）技术。此举被视为应对快速变化的人工智能（AI）半导体市场技术需求，并为下一代工艺搭建桥梁。

研发1.0nm工艺需要突破现有设计框架，引入新的技术概念，并采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等下一代设备。三星预计，1.0nm工艺的量产时间将在2029年之后。

目前，三星在3nm和2nm工艺的良率方面仍落后于台积电，尤其在2nm工艺上，台积电的良率已突破60%，形成显著差距。因此，三星对1.0nm工艺寄予厚望，希望通过技术创新实现弯道超车。

三星计划于2025年开始量产2nm工艺，2027年量产1.4nm工艺。公司还计划在2027年将先进节点的生产能力扩大三倍，并预计非移动应用（如高性能计算和汽车）将在其代工组合中占比超过50%。

此外，三星正在开发2.5D/3D异构集成封装技术，计划于2024年量产采用微凸块互连的3D封装X-Cube技术，2026年推出无凸块X-Cube技术。通过这些举措，三星希望在先进制程领域缩小与台积电的差距，增强在全球半导体市场的竞争力。