HBM具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，作为存储赛道增量最大的细分领域，国内还没有建立完整的产业链，要形成自主可控的HBM产业链生态仍需要较长的投入期，同时也孕育着巨大的国产装备、材料的投资机会。
HBM助力SK海力士夺冠DRAM市场份额40年来首次超越三星，主要得益于 SK 海力士在高带宽内存 (HBM) 市场的主导地位。三星未能跟上人工智能时代的步伐，被认为是其失去头把交椅的重要因素。
据相关数据，2025年第一季度，三星在全球DRAM市场的份额约为34%，SK海力士的份额约为36%，三星失去了DRAM老大的地位。美光则以25%左右的市场份额位居第三。
从2024年3月开始，SK海力士开始向Nvidia供应其第五代HBM3E，而三星直到最近才传出有关出货的积极消息。
过去，三星凭借“超差距技术”加上规模化生产能力，在内存领域占据主导地位，除非经济下行迫使减产，否则三星的DRAM市场份额很少跌破40%。
然而，进入2024年，其弱势愈发明显，包括HBM在内的AI半导体，由于技术竞争力不足，不断遭遇挑战，市占率下滑，让SK海力士抢占DRAM王位。
韩国业界普遍认为，三星短期内或难以重夺龙头地位，能否成功捍卫地位，将取决于其能否在HBM领域取得显著成果。据相关预测，2025年第二季度DRAM市场份额的排名可能与第一季度相似。
HBM加速迭代，存储大厂积极扩产从竞争格局来看，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%，SK海力士因具备先发优势，为NVIDIA提供HBM3，目前市场份额保持领先地位，而2024年三星将开始扩大对NVIDIA的HBM3供应，美光也开始批量生产HBM3E，三星和美光有望逐步扩大在HBM市场份额。
受全球GPU需求持续高增长，HBM领域的主要供应商SK海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂正加大产能扩张力度。
SK海力士：预计2024年HBM产能同比翻倍增长，同时，SK海力士不仅计划在美国印第安纳州建造一座最先进的制造工厂，还计划与闪存制造商铠侠在日本共同生产HBM。此外，SK海力士还计划在2024年保持10万亿韩元的新增资本支出（比2023年增长了近七成），以支持HBM产能增长。
三星：预计HBM芯片产量将比2023年增长2.5倍，2025年将再次翻倍。三星目前已收购韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。美光：今年资本开支约75亿美元至80亿美元，主要用于HBM量产。此外，公司于2023年11月6日在台中开设了新工厂，将致力大规模生产HBM3E以及其他产品。
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