杭州“临安发布”消息，爱矽科技园项目已完成40%的施工进度。计划今年年底，园区全部结顶竣工，争取明年5月投入使用。

该产业园于2024年5月开工，项目计划打造临安首个集芯片设计研发、先进封装封测、功率器件封装封测等多元功能于一体的集成电路产业园，占地118亩，建筑面积约20万平方米，包括9幢多层厂房与1幢高层车间和1幢办公楼。目前，已有3幢厂房主体顺利结顶，其余6幢厂房基本出正负零。

未来，爱矽科技园不仅是爱矽科技的总部所在地，拥有第三代半导体研究院、器件及模组设计公司、多条先进生产线及动力配套等设施，还会招引多家半导体企业入驻，汇聚创新力量，形成强大的产业集聚效应。

source：爱矽科技

据悉，除园区自用部分，整个园区计划引入15家左右企业，目前已成功签约8家。照此态势，到明年投用时，有望实现“开园即满园”的理想状态。

资料显示，杭州作为长三角地区的重要科技创新中心，近年顺应市场需求，杭州在第三代半导体领域（以碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料为核心）积极布局，汇聚了众多公司与项目。

中欣晶圆与杭州资本合作建设8英寸碳化硅外延片基地，规划年产能超10万片，填补国内车规级SiC材料空白，已导入国际头部设备商机台，样品送样多家车企验证。

富加镓业已成功突破6英寸氮化镓单晶衬底量产技术，良品率达国际水平。

士兰微杭州子公司建设12英寸特色工艺线，量产SiC MOSFET、GaN射频器件。

总部设在杭州的瑞能半导体，开发SiC复合封装模块，支持800V高压平台。

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当前，杭州已初步形成第三代半导体产业集群，覆盖材料、设计、制造到应用的完整链条。未来，在政策与市场需求双重助力之下，预计杭州将进一步吸引上下游企业集聚，加速技术商业化进程。

（文/集邦化合物半导体 奉颖娴 整理）

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