据《日经亚洲》报道称，中国在不太先进的半导体领域取得了长足进步，其迅速扩充正在将市场价格降低至此前无法想象的水平，这让全球的芯片制造商都感觉到了巨大压力。来自于德国芯片制造商X-Fab的销售总监马可表示，在看到一些中国供应商对于碳化硅晶圆的报价时，我难以想象他们到底是如何做到的。
全球价格战根据国际半导体协会的数据显示，2021年，由欧美日企业供应的6英寸碳化硅衬底，其报价为800-1000美元/片。到了2023年，来自于中国的半导体材料大幅度冲刷了市场价格，欧美日的碳化硅降到了600-700美元/片。
而来自于中国本土的报价更是夸张，以天科合达、山东天岳等企业为首的中国半导体材料供应商，在与海外产品同规格的情况下，价格压低到了400美元/片。
6英寸的晶圆碳化硅在28nm及以上的成熟工艺制程当中，占据着重要地位。尽管现在已经有很多厂商放弃了6英寸的生产线，投入到了8英寸和12英寸的大面积晶圆制造当中，提高先进芯片的生产效率。
但是在很多产品当中，6英寸碳化硅晶圆有着成本上面的巨大优势。
在纯电汽车的控制器、光伏逆变器、工业电源等多个领域，基于6英寸碳化硅制造出来的功率半导体芯片，其在稳定性与量产上面可满足许多大企业的要求。
刚才提到的天科合达与山东天岳公司，其6英寸长晶工艺稳定性高，良品率高，而且在成本上面要比8英寸低60%左右，最适合大面积量产商用。
并且中国企业在制造设备的自主技术发展上面，也具有显著优势。
北方华创的碳化硅长晶炉设备，其价格大约在200万美元一台，但是如果进口海外的设备，那么这个价格将会翻倍，来到400万美元一台，并且国内的设备在维修保护、测试调控等方面更加的方便，维修成本更低。
长晶炉设备需要在高温环境下持续运行10-15天，所需的耗电量大。但是中国工业电量的价格大约在0.08-0.12美元/度，而海外的工业电量价格大约在0.25-0.35美元/度，中国企业在电量成本上面，领先海外企业。
并且地方政府还会给相关的企业提供相应的扶持政策，每万片产能补贴1.5亿人民币，极大完善了芯片制造企业的经营产业链。
德国X-Fab的销售总监马可曾经公开表示，中国企业的碳化硅材料报价远低于我们的材料成本，这直接迫使我们放弃了在6英寸碳化硅上面与中国企业死磕，向8英寸生产线转型。但是转型需要3年左右的时间，我们的压力很大。
无独有偶，来自于美国的芯片企业科锐（Cree），其在2023年宣布将公司内部的碳化硅制造业务拆分出来成立Wolfspeed子公司，并且关闭了一座在美国本土的6英寸制造工厂，全面在8英寸碳化硅领域进行发展，避开中国企业在6英寸碳化硅材料上面掀起来的全球价格战。
国产成熟芯片在发展国产芯片的过程中，国产芯片制造设备是核心的突破点。
根据中国半导体行业协会以及CCID的2025年Q1报告显示，中国设备企业在多个芯片制造设备上均实现了相当不错的国产化率。
由中微半导体提供的刻蚀机产品，已经可以应用在5nm先进芯片的生产线中；由北方华创推出的薄膜沉积设备，已经通过了国产14nm ALD设备生产线的技术验证，开始大面积的进行量产使用；华海清科供应的化学机械抛光设备，在14nm及以下CMP设备生产线当中进行了技术验证，开始进行量产商用。
并且由中微半导体供应的CCP刻蚀机产品，已经成功的进入了三星、台积电的生产线，在国际上面占据了25%的市场份额，仅次于美国的应用材料和泛林科技。
国产光刻机也正在推进当中，北京科益虹源推出了193nm ArF激光器，华卓精科推出了双工作台，长春光机所推出了物镜系统。
为了压制中国芯片设备的发展，美国应用材料、泛林科技等企业将成熟芯片的制造设备降价30%，以此来试图压制中国制造设备在市场上面的竞争力。
但是中国芯片企业在多年前共同成立了“中国集成电路创新联盟”，该技术联盟与当初美国英特尔牵头的EUV LLC有类似之处。
创新联盟整合了中芯国际、华虹半导体、长江存储、中微半导体等国内顶级的大型芯片企业，全力以赴开发国产自主的制造设备，将设备验证周期从24个月压缩到12个月。
国内企业在类似的技术上面进行专利交叉授权，避免不同企业在同一个技术上面出现浪费资源的重复研发情况。
以长江存储类似的企业为前提，将自家最新的技术工艺提前导入北方华创等公司的制造设备当中，提升技术调试的效率。并且中微的刻蚀机同时在合肥长鑫、中芯深圳、积塔半导体三条生产线当中同步进行技术验证，将数据互通的周期从18个月缩短到9个月的时间内，全面加速国产芯片的技术发展。
