在人工智能飞速发展的当下，半导体行业的每一次变革都备受瞩目。近期，一则重磅消息在业内炸开了锅：英伟达为了加速人工智能的普及，巩固自身在AI芯片市场的王者地位，正与三星电子、SK海力士等存储器领域的巨头秘密商讨合作，共同研发全新的内存标准。
英伟达与三星/SK海力士合作随着人工智能和高性能计算领域的快速发展，对内存带宽和能效的要求日益提高。传统的DRAM内存模块在满足这些需求方面存在一定的局限性。
SOCAMM内存技术具有极高的数据传输带宽，能够显著提升个人AI超级计算机的性能。集成了低功耗和高能效的LPDDR5X DRAM，有助于降低系统能耗，延长设备电池寿命。SOCAMM内存模块采用可拆卸设计，使得更换和升级变得更加便捷，提高了设备的灵活性和使用寿命。该模块的设计包括694个I/O端口，超过了当前LPCAMM标准的644个端口，有助于进一步缓解数据瓶颈问题。
EBN 报告表明，NVIDIA 和内存制造商正在交换 SOCAMM 原型进行测试，并可能在 2025 年底开始大规模生产。
在 CES 2025 上，NVIDIA 推出了 GB10 Grace Blackwell 超级芯片和 Project DIGITS，旨在普及个人 AI 超级计算机。据 EBN 称，SOCAMM 被视为“下一代”HBM，在小型 PC 和笔记本电脑中具有优于传统 DRAM 的性能和能效，这可能是关键。
值得注意的是，EBN 报告暗示 NVIDIA 计划在其“DIGITS”系列的第一款产品中使用单独的 LPDDR，并计划在下一个版本中整合四个 SOCAMM 模块。
开发面向AI PC的SOCAMM内存标准据称SOCAMM拥有高达694个I/O端口，这一数字高于PC DRAM模块和LPCAMM，LPCAMM只有644个，而传统DRAM只有260个。由于I/O端口数量如此之高，SOCAMM被认为可以解决处理器与内存之间的数据瓶颈问题。
此外，SOCAMM是一种可拆卸的内存模块，这可能为未来的升级提供便利。由于其体积小巧，制造商可以在模块上集成最优数量的DRAM，从而确保高容量。
目前，关于SOCAMM内存标准的细节还相当有限，这个项目主要由英伟达及其合作伙伴主导，在没有联合电子设备工程委员会（JEDEC）参与的情况下开发这一标准。据推测，SOCAMM模块将被用于英伟达Project Digits这样的紧凑型AI超级计算机，在今年的CES展上黄仁勋展示了这个产品，将于5月开始上市。
与之相比，英特尔在Xeon 6平台则率先引入了JEDEC标准的下一代内存MRDIMM（Multiplexed Rank DIMM）标准。该模块带宽两倍于现有产品，并保持包括阵脚、供电/散热在内的兼容性，不改变DRAM制程。SOCAMM本意是解决HBM高功耗、低容量、片上不可扩展等问题，如不能平衡成本、应用场景等市场因素，就难免成为NV“独家”。
免责声明：
1、本号不对发布的任何信息的可用性、准确性、时效性、有效性或完整性作出声明或保证，并在此声明不承担信息可能产生的任何责任、任何后果。
2、本号非商业、非营利性，转载的内容并不代表赞同其观点和对其真实性负责，也无意构成任何其他引导。本号不对转载或发布的任何信息存在的不准确或错误，负任何直接或间接责任。
3、本号部分资料、素材、文字、图片等来源于互联网，所有转载都已经注明来源出处。如果您发现有侵犯您的知识产权以及个人合法权益的作品，请与我们取得联系，我们会及时修改或删除。
