近日，全球半导体制造巨头台积电(TSMC)在美国召开了首次季度董事会，会上透露了一系列重大决策，标志着该公司在美国的先进制程布局将进一步加速。尤其是亚利桑那州第三厂(Fab 21 P3)的动工时间将提前至今年中，比原定计划提前一年到一年半，这一消息引发了业界的广泛关注。

台积电首季董事会在美国举行，据调查，台积电董事长魏哲家与美国亚利桑那州分公司干部单独举行沟通会议，会中做出三项重大决议，分别为亚利桑那州第三厂（Fab 21 P3）提前于今年中动工、动工典礼将邀美国重要官员参加，并考虑在美规划CoWoS封装厂，三项决议被视为台积电将加速先进制程赴美。

台积电面临特朗普政府施压，打算调整在美设厂规划，将正式启动第三厂建厂行动。以台积电后续增建新厂只需十八个月即可量产的时程规划，第三厂可能在2027初试产、2028年量产，比原本计划提早至少一年到一年半。

台积电先前表示，亚利桑那州第一座晶圆厂已在2024年4月开始生产4nm制程技术、年内完成首批晶圆交货；第二座晶圆厂将生产世界上最先进、采用下一世代纳米片晶体管结构的2nm制程，预计2028年开始生产；第三座晶圆厂预计采用2nm或更先进的制程技术。

台积电供应链透露，台积电第二工厂将可在明年底前进行试产，2027下半年开始量产，比原规划的2028年提前。

台积电还考虑赴美设立CoWoS先进封装厂，细节计划还需进一步讨论。稍早台积电将这部分委由封装大厂Amkor和日月光进行部署，Amkor已提出在亚利桑那州建厂计划；日月光则表示仍得仔细评估。

据国外媒体报道称，台积电已经表态，正在加快在美国建厂。

台积电高级副总裁Peter Cleveland在美国表示，该企业在美子公司TSMC Arizona的第二座先进制程晶圆厂正在建设中，而台积电对第三晶圆厂的态度是希望尽快动工，这需要美国政府在环评认证流程上配合。

根据美国官方《芯片与科学法案》相关网页，TSMC Arizona第二晶圆厂将提供3nm FinFE 制程产能，预计将于2028年投产；而第三晶圆厂将深入2nm和A16的Nanosheet (GAA) 制程，有望在本十年末投产。

在这之前，芯片代工巨头台积电计划对美国工厂追加投资1000亿美元，以提升其在美国本土的芯片产能，并支持总统特朗普壮大国内制造业的目标。

魏哲家表示，将在已规划的650亿美元投资的基础上追加这笔投资，将创造数千个就业岗位。

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