三星电子在DRAM市场称霸超过30年，但这一格局可能在今年第一季度迎来历史性变化。市场预测，SK海力士的DRAM销售额将首次超越三星电子。对此，三星电子会长李在镕发出警告，直指存储业务正陷入自满，并强调三星必须发挥擅长“逆袭”的能力，以扭转当前劣势。

根据市场调研机构TrendForce 3月18日发布的数据，2023年第四季度，三星电子的DRAM销售额为112.5亿美元，仍比SK海力士高出7.92亿美元。然而，相较于2023年第三季度双方23.47亿美元的差距，这一领先优势在短短一个季度内缩小了三分之二。

在过去一年间，三星电子的DRAM销售额增长了41.5%，但SK海力士的增幅高达88.1%，大幅缩小了与三星的差距。2023年第四季度，SK海力士的DRAM市场占有率达到36.6%，距离三星的39.3%仅差2.7个百分点。

业界普遍预测，在今年第一季度，SK海力士的DRAM销售额将正式超越三星电子。多家证券机构的分析报告支持这一观点，Daol投资证券和IBK投资证券均预计，SK海力士的DRAM销售额将在Q1比三星电子高出约2.7万亿韩元（约20亿美元）。

回顾历史，三星电子自1992年成功研发全球首款64Mb DRAM后，于1993年登顶市场占有率第一，并在接下来的30多年里保持霸主地位。但如今，由于下一代DRAM研发进度落后、竞争对手的强势崛起，三星正面临自1993年以来的首次王座危机。

事实上，在半导体整体盈利能力方面，三星电子已经被SK海力士反超。2024年，三星电子DS（半导体）部门的营业利润为15.1万亿韩元（约合人民币751.4亿元），远低于SK海力士的23.4673万亿韩元，后者创下历史最高纪录。如果DRAM市场份额也被超越，三星在该领域的主导地位将受到严重冲击。

三星电子失速的关键原因之一是高带宽存储（HBM）等高附加值半导体市场竞争的加剧。尽管三星仍在DRAM出货量上领先，但在产品均价（ASP）方面却落后于SK海力士。据业内分析，SK海力士供应给英伟达的HBM3E产品，其平均售价比三星高出20%以上。

此外，全球半导体市场低迷，预计今年Q1两家企业的DRAM销售额都将环比下降，但三星的跌幅可能更大。

与此同时，美国对HBM产品的出口管制也对三星构成不利因素。SK海力士的HBM产品主要出口美国市场，而三星电子的HBM产品则有相当一部分销往中国。根据韩国产业通商资源部的数据，今年2月，韩国对中国（含香港）的半导体出口额同比下降31.8%，这无疑加剧了三星的销售压力。

面对DRAM业务的潜在危机，三星电子会长李在镕已向管理层释放严厉信号。他在近期会议上表示：“公司多个领域的技术竞争力正在削弱，创新和挑战精神不足，更多是在维持现状，而不是主动突破格局。”

业内人士指出：“HBM是SK海力士长期深耕的核心技术，因此两家公司在这一领域确实存在一定的技术差距。然而，三星在第五代DRAM技术上的落后仍然令人震惊。”

此外，分析认为，李在镕及主要高管近年来长期受司法案件牵绊，导致三星电子在关键决策和战略布局上滞后，这可能也是三星DRAM市场地位受威胁的重要因素之一。

面对存储市场的变局，三星电子的应对策略将决定其未来市场地位。虽然三星拥有雄厚的资金和技术积累，但在HBM等高附加值产品领域，其需要更激进的策略才能缩小差距，甚至重新夺回市场领导权。