7月17日，在上周，国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片，产品规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑。此外，合肥长鑫合作方兆易创新16日公告，总经理朱一明因工作需要辞去公司总经理职务。知情人士称，朱一明下一步将赴合肥长鑫担任重要职位。

近年来，随着国家集成电路产业投资基金（大基金）一二期资金的推动，存储器的国产化也迈上快车道。作为全球电子产品的制造基地，我国一直以来都是半导体芯片存储器产品的最大需求市场，中兴事件令国人深刻体会到芯片行业如鲠在喉，“缺芯少魂”的艰难境地，也意识到存储芯片的国产化战略意义重大。可以说，目前无论从市场的角度还是国家安全的角度存储器国产化都是势在必行。

过去一年，全球半导体存储器市场规模达到 1280 亿美金，占全球半导体产值 30%。据海关数据，我国进口存储器 889.21 亿美元，比 2016 年的 637.14 亿美元增长了39.56%。而在全球DRAM 市场，国外三星、海力士、美光三家巨头垄断了90%以上的市场，寡头垄断的格局下，存储器产品单价剧烈上涨，下游客户面临存储芯片涨价毫无议价能力，核心技术受制于人，也使得我们在产业链利润端遭遇到极大的不公平。

在全球Nand Flash市场，三星、海力士、美光、东芝、sandisk、intel六家企业基本垄断99%市场份额。2017 年，美光、三星、海力士三家巨头的半导体业务在中国的营收分别为 103.88 亿美金、253.86 亿美金、89.08 亿美金，总计达到 446.8 亿美金，占据中国存储器进口的一半以上。

在此处境下，国家重点推进存储器产业的发展不仅是因为其处于集成电路产业的核心地位，更是基于信息安全的考量。唯有在存储器、CPU 等核心芯片领域具备国产自主化可控能力，才能确保国防及信息安全，才不会在关键科技领域的发展下再受制于人。

目前，随着供给端NAND存储芯片片正快速转向3D NAND新时代，存储芯片有望迎来变局，技术路线的变化为存储芯片国产化提供契机。未来，需求端移动设备、SSD 固态硬盘主导存储器需求，预计三年DRAM的容量需求复合增长速度在20-25%，NAND Flash的容量需求复合增长速度在40-45%，手机、服务器、PC将激活绝大部分存储器芯片，国内强大的需求支撑下，将为芯片存储行业带来新的发展良机。

我们认为，随着国内三大存储芯片企业量产进展顺利，长江存储、合肥长鑫、福建晋华的存储项目厂房建设已完成，预计在今年下半年将进入量产阶段，合肥长鑫率先正式投片，另外紫光在南京的存储项目土地规划已经落实，预计即将进入建设阶段。国内巨大的市场以及政策支持推动下，国内本土存储芯片企业有望持续扩大市场占有率，相关国内存储产业链优质企业将持续受益，相关上市公司可关注：

兆易创新（603986）：国内存储龙头，获中芯支援，明年首季起，每月增至 2.5 万片；

太极实业（600667）：与海力士成立海太半导体，采用“包销”方式为海力士提供内存器件的封装测试业务，半导体封测龙头；

紫光国微（002049）：国内最大的芯片企业，长江存储有望整合进紫光国芯，正在研发第四代DRAM存储器，与展锐合作开发中移物联自主ESIM芯片。