HBM是一种先进的三维堆叠存储技术，能够提供超高的数据传输速率，是当前人工智能（AI）领域急需的关键技术之一。随着AI技术的快速发展，对高性能存储解决方案的需求也在不断增长，SK海力士的这一战略布局将为全球AI市场提供有力支持。

SK 海力士暗示即将推出其下一代 AI 半导体模型，这可能会加快其高带宽存储器 (HBM) 产品的发布。这一发展是在人们对 AI 市场扩张的预期日益高涨的背景下出现的，NVIDIA 首席执行官黄仁勋最近强调了不同时间段内 AI 芯片需求的积极信号。

3月18日，业内人士透露，SK海力士在社交媒体上发布了一段神秘视频，展示了数字3变成4的过程，并配文“数字3之后是什么。AI内存的下一章即将揭开”。这一预告引发了人们的普遍猜测，即该公司正准备推出 HBM4，这是 HBM3E 的重大进步，HBM3E 是目前供应全球 AI 市场的第五代产品。

HBM技术以堆叠多个 DRAM 来增强带宽和效率而闻名，对于需要高性能计算资源的 AI 应用至关重要。SK海力士此前已宣布计划在今年下半年供应下一代HBM4。然而，最近的社交媒体帖子表明，此次发布可能会比预期的更早，可能与NVIDIA即将推出的芯片“Rubin”一致。

据悉，SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。

SK 海力士于去年9月全球率先开始量产12层HBM3E芯片，实现了最大36GB容量。12层HBM3E 的运行速度可达9.6Gbps，在搭载四个HBM的GPU上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取35次700亿个整体参数的水平。

去年11月，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。

SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。

三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片8层HBM3E。虽然该批准标志着三星向前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。

而美光方面透露，该公司的12层堆叠HBM内存产品（12Hi HBM3E）即将放量。

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