光刻机被誉为“半导体工业皇冠上的明珠”，这绝对不是夸大其词。作为生产芯片的核心设备，光刻机的先进程度就决定了芯片的先进工艺程度，因此光刻机是半导体产业发展的核心基石，被全球芯片代工厂商所争抢。

作为全球最先进的光刻机厂商，ASML生产了全球100%的EUV光刻机，这也让ASML掌握了全球EUV市场的绝对话语权，更让ASML赚的盆满钵满。

据悉，一台普通EUV光刻机售价就高达2亿美元以上，而最贵的High NA EUV光刻机售价更是超过4亿美元。凭借这些价格昂贵的EUV光刻机，ASML的利润率高达50%，可谓是躺着赚钱。不过最近全球EUV光源技术实现突破，这对ASML而言是很大的压力，ASML的好日子算是到头了。

ASML之所以能生产EUV光刻机，这是因为ASML背后有数千家顶级供应商，这些供应商为ASML提供了10万多个零部件。在ASML强大的技术整合下生产出EUV光刻机。

除此以外，ASML的EUV技术也非常厉害。比如ASML已经娴熟掌握了13.5nm光源技术，并且ASML在此基础上进行探索，从而研制出分辨率更高的High NA EUV光刻机。

换言之，只要其他厂商攻克了13.5nm的EUV光源问题，那么这些厂商就有可能研制出EUV光刻机，而ASML的垄断地位将会打破。

值得庆幸的是我国研发团队在EUV光刻机技术上的探索是从来没有停止的，早在2023年的时候哈工大研发团队就研制出“超高速精密激光干涉仪”，这款设备为28nm光刻机提供技术支撑，也为7nm的EUV光刻机提供技术储备。

而在最近哈工大研发团队再次传来好消息，哈工大的赵永蓬教授带领的团队研发出“放电等离子体极紫外光刻光源”技术，这项技术能提供中心波长13.5nm极紫外光，可以为高端光刻机提供技术支撑。

很明显，我国的哈工大团队已经攻克了13.5nm的EUV光源问题，这也表明我国已经解决了EUV光刻机研制过程中最难的问题。

无独有偶，在2024年12月下旬，俄方也传出了攻克EUV光刻机技术的消息。据俄方媒体报道，俄罗斯的科学家成功攻克了EUV光刻机技术难题，采用了波长为11.2nm的镭射光源，这种光源比ASML使用的13.5nm光源要更先进，分辨率提升了20%。

只不过俄方的这项新技术EUV技术和现有的EUV设施不匹配，因此要研制出新款EUV光刻机，这需要俄方不断的完善基础设施。

一边是我国哈工大研发团队攻克13.5nm的EUV光源问题，另一边是俄方科学家独辟蹊径，使用了11.5nm的镭射光源。这两项技术的突破表明了EUV光刻机市场再也不是ASML一家独大。

以我国的EUV设施，配合我国在EUV技术的突破，我们将来研制出EUV光刻机不是问题。届时，EUV光刻机价格下降，沦为“白菜价”，这并不是危言耸听。而俄方的新型EUV光刻机一旦研制成功，那么ASML的EUV光刻机就变成“老旧产品”。届时，ASML的EUV光刻机领先优势不再。正因为如此，有外媒才表示，ASML的EUV光刻机将被赶超，躺着赚钱的日子将会过去，好日子到头了。

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