SiC MOSFET是在电力电子系统应用中一直期待的1200V以上能够耐压的高速功率器件,相比于IGBT具有高热导率、高
212 人赞同了该回答IGBT主要是用来做能源转换和传输的,在新能源车,智能电网,航空航天和通信方面有广泛的应用。IGB
IGBT功率半导体器件IGBT在MOSFET基础上升级,市场空间增速快。IGBT 作为半导体功率器件中的全控器件,由BJ
先说结论:碳化硅的发展超预期,会逐渐取代一部分IGBT,但不可能完全替代,未来将与IGBT形成互补的关系。在我们的传统印
首先,我们先了解一下,什么是功率半导体?功率半导体包括两个部分:功率器件和功率IC。功率器件是功率半导体分立器件的分支,
IGBT的CGE之间存在寄生电容,这些寄生电容导致了IGBT开关过程的非线性。IGBT开通过程可以分为三个阶段:驱动电流
米勒效应弥勒效应是由开关器件的弥勒电容引起的,这种开关器件通常是电压型控制型器件,其结构决定了弥勒电容的存在,如我们最为
作为新能源发电、电动汽车和智能电网的重要单元,IGBT模块得到越来越广泛的应用。IGBT器件封装形式主要有焊接式和压接式
此文是之前写的关于IGBT双脉冲测试的指导书,内容比较详细,适合刚入行的新手,文中有一些是自己的理解,如有疑问,可私信作
1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率,
IGBT在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断产生瞬间尖峰电压,如果尖峰电压超过IGBT的最高峰值电压,将造成IGB
进入正题之前,让我们先来看看如何获取适用于英飞凌单管产品的PLECS和SPICE模型,以及如何下载这些模型。英飞凌每款产
如图1所示,短路时间tp表示多长时间的短路会对IGBT器件产生影响,IGBT的短路特性通常与几个参数有关,驱动电压Vg
首先,需要根据以下公式进行计算:在公式中,热阻Zth(j-c) 为IGBT器件在瞬态脉冲时的值,可以参考数据手册的瞬态热
短路不可怕IGBT主要用于电机驱动和各类变流器,IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一,短路保护可以通过串在
电磁炉感应加热的原理和感应加热的拓扑分析在理解电磁感应加热的原理之前,先问自己一个问题,假如这个世界上没有电磁炉,你要烧
我们常常被告诫:实际应用中,IGBT集电极电压绝对不能超过额定值,否则器件有可能被击穿。然后有的同学并不死心:如果我只超
IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高
基于开通暂态测量杂散电感,一般会在IGBT双脉冲测试的第二个脉冲进行提取,因为第一个脉冲还没有电流。当IGBT第二次开通
IGBT器件例如IKZA50N65EH7的数据手册中如图1所示,给出了栅极电荷Qg和栅极电压Vge的关系。图2为IGBT
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