损耗太大,开关dvdt过快,EMC过不了……这些都是设计电机驱动时常遇见的问题,而且它们还此消彼长。工程师们一般是根据实
用IGBT的新手们经常会遇到一个问题,就是母排的杂散电感太大了,IGBT关断时Vce的尖峰电压太高了。。。为啥说新手经常
如下图,是IGBT产品典型的输出特性曲线,横轴是C,E两端电压,纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三
IGBT是非常重要和常见的元器件,但常常在沟通中出现一些错误的理解,今天带大家一起来看看,如何避开IGBT的误区!那个年
在电驱系统中,IGBT作为主功率器件,获得了广泛的应用。大量的硬件设计工作是围绕IGBT展开的,其中的一项关键工作的是对
通常我们对某款IGBT的认识主要是通过阅读相应的datasheet,数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数条
2022年是中国碳化硅使用的很重要的一个年份,主要是目前800V系统带来了很多变化,具体从各个层面到底有哪些差异,我想根
当前的新能源车的模块系统由很多部分组成,如电池、VCU、BSM、电机等,但是这些都是发展比较成熟的产品,国内外的模块厂商
这个问题我想分两部分来回答。我估计题主以及很多点进这个问题的读者和当初的我一样,是早在深入电路理论之前,就通过铁道、电动
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极
IGBT作为新型功率半导体器件,在如今的轨道交通、新能源汽车、智能电网等新兴领域发挥着重要作用。而温度过高导致的热应力会
IGBT器件例如IKZA50N65EH7的数据手册中如图1所示,给出了栅极电荷Qg和栅极电压Vge的关系。图2为IGBT
对新能源车来说,电池、VCU、BMS、电机效率都缺乏提升空间,最有提升空间的当属电机驱动部分,而电机驱动部分最核心的元件
概括来说,驱动电流过大,对IGBT的电容充电速度加快,导致IGBT开通速度加快,使得驱动回路产生较大的di/dt在寄生电
IGBT作为变流器的开关器件时,IGBT是利用其栅极控制信号关断的,是硬关断过程(相对于软关断)。由于关断过程很快,直流
IGBT模块:电力电子的创新之路随着电力电子技术的不断发展,功率半导体器件在现代电力系统中扮演着至关重要的角色。其中,绝
1.IGBT(1200V)的工作频率是多少?DN2/KF4::4~15KHz;DLC/KL4/KE3/ME4:1~8KH
在经过多年的技术积累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其强大的击穿场和较低的损耗特性,逐渐受到工程师们的热烈追捧。
基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管(MOSFETs)为电力转换开关设备的性能优化系数(FOM)带来了显著提升。这让系统
SiC MOSFET是在电力电子系统应用中一直期待的1200V以上能够耐压的高速功率器件,相比于IGBT具有高热导率、高
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