以IGBT、MOSFET为主的电力电子器件通常具有十分广泛的应用，但广泛的应用场景也意味着可能会出现各种各样令人头疼的失
IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日
01 前言大家好，上次我们聊了IGBT短路故障类型，这期我们聊一下IGBT的短路耐受时间。我们都知道IGBT的短路耐受时
尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况
IGBT Vth开启电压增加时，饱和压降也会随之增加。因为当Vth增加时，需要施加更高的控制电压才能将IGBT开启，这会
车规级功率半导体器件由于高工作结温、高功率密度、高开关频率的特性，伴随着车用场景中更严苛的使用环境，对功率器件的可靠性验
一、IGBT模块概述IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，
先说结论，一字型三电平NPC1在关断的时候不能同时封波，而要执行“先关外管，后关内管的”的原则。要理解这个问题，首先要清
IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温
1.IGBT双脉冲测试方法的意义①对比不同的IGBT的参数；②评估IGBT驱动板的功能和性能；③获取IGBT在开通、关断
什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，
IGBT模块封装结构是将半导体分立器件通过某种集成方式封装到模块内部，一个IGBT模块通常需要经过贴片、焊接、等离子清洗
如下图，是IGBT产品典型的输出特性曲线，横轴是C，E两端电压，纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在电力电子领域扮演着核心角色，特别是在新能源电动汽车（NEV）中的应用显得尤为重要。这种半
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）即绝缘栅双极型晶体管，其通过加正向栅极电压形成沟
如图1所示，与MOSFET相比，IGBT器件本身不含体二极管，所以IGBT器件只能在一个方向上流过电流，即从集电极方向到
IGBT短路试验：首先明确一点，IGBT的短路和过流区别！IGBT短路分为一类短路和二类短路一类短路指直通双桥壁的另一个
1.IGBT(1200V)的工作频率是多少？DN2/KF4：：4~15KHz；DLC/KL4/KE3/ME4：1~8KH
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器和高速铁路牵引等领域，因其结合
我们都知道，电机驱动是IGBT的主要应用领域之一。有的同学可能会有这样的困惑：“IGBT本来就是驱动电机的，为什么它自己
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