如图1所示，与MOSFET相比，IGBT器件本身不含体二极管，所以IGBT器件只能在一个方向上流过电流，即从集电极方向到发射极方向，因此IGBT器件应避免承受反向电压。由于大部分工业应用都是感性负载，所以必要时需要在IGBT芯片旁边反并联一个二极管芯片，或者直接选择一个具有集成二极管芯片的IGBT器件。例如采用600V TRENCHSTOP™ Performance新技术的IGBT器件，主要应用于工业驱动，太阳能逆变器和大型家用电器等，我们分别提供带并联二极管和不带并联二极管的IGBT器件，如图2所示。

英飞凌作为IGBT大户，针对具体应用的不同需求，开发了完善的IGBT系列产品。较强的针对性使器件能在特定应用中处于最佳工作状态，有利于提高品质标准。英飞凌提供业界专业性最强的IGBT器件，帮您实现最理想的应用性能。

IGBT裸片是硅基的绝缘栅双极晶体管芯片。裸片和晶圆级别的芯片可帮助模块制造商提高产品集成度和功率密度，并有效节约电路板空间。另外，英飞凌还提供完善的独立塑封IGBT系列：IGBT单管。该系列芯片包括单片IGBT，以及和续流二极管集成封装的产品，广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源（SMPS）等领域。单管IGBT电流密度高且功耗低，能够提高能效、降低散热需求，从而有效降低整体系统成本。

功率模块是比分立式IGBT规模稍大的产品类型，用于构造电力电子设备的基本单元。这类模块通常由IGBT和二极管组成，可有多种拓扑结构。而即用型组件模块则专用于满足大功率应用的需求。这些组件常被称作系统，根据具体应用领域采用IGBT功率模块或单管进行构造。从具有整流器、制动斩波器和逆变器的一体化功率集成模块，到最大功率的组件，英飞凌的产品覆盖了几百瓦到几兆瓦的功率范围。这些产品高度可靠，性能、效率和使用寿命均很出色，有利于通用驱动器、伺服单元和可再生能源应用（如太阳能逆变器和风力发电应用）的设计。

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