IGBT Vth开启电压增加时，饱和压降也会随之增加。因为当Vth增加时，需要施加更高的控制电压才能将IGBT开启，这会导致电流在IGBT中的压降增加，从而使得饱和压降也随之增加。

对于平面型IGBT，VTH增加时，VCEAT不一定会增加，这与IGBT的结构和质量有关。当IGBT处于饱和状态时，VCEAT是一个非常重要的参数，它表示IGBT的导通能力。当VCEAT增加时，IGBT的导通能力会降低，因此会使功率损失、温度和应力增加。如果VTH增加，会导致导通阻力增加，增加VCEAT的可能性，但不一定总是如此。因此，具体是否导致VCEAT增加需要根据实际情况来判断。

对于trench型IGBT，VTH增加时，VCEAT的变化也不一定。相比平面型IGBT，trench型IGBT采用了更加复杂的结构，包括多个p-n结、细小沟槽结构等，因此其VCEAT与VTH之间的关系更加复杂。通常来说，trench型IGBT的VCEAT与VTH之间的关系比平面型IGBT更加微妙，同时也受到其他因素和参数的影响，比如导通阻力、器件尺寸等。因此需要具体处理，需要通过测试来确定。

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