IGBT的CGE之间存在寄生电容，这些寄生电容导致了IGBT开关过程的非线性。

IGBT开通过程可以分为三个阶段：

驱动电流对Cge充电，门极电压Vge上升，器件开启，电流开始上升。此时Vce为母线电压。

电流达到预定电流，Vce开始下降，门极驱动器的电流此时全部流向米勒电容，对Cgc进行充电。Cge不再被充电，因此门极电压Vge保持不变，被称作米勒平台。

米勒区结束，驱动同时对Cgc和Cge充电，门极电压进一步升高，同时Vce下降至器件的饱和电压。

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