IGBT如何防止静电击穿？

IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断产生瞬间尖峰电压，如果尖峰电压超过IGBT的最高峰值电压，将造成IGBT击穿损坏，过压损坏可分为集电极-栅极过压，栅极-发射极过电压，高du/dt过电压。对于du/dt所导致的过压故障，基本上采用无感电容或RCD吸收，由于设计吸收容量不够而造成损坏，可以采用电压钳位，往往在集电极-栅极两端并联齐纳二极管，采用栅极电压动态控制，当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上，避免了IGBT因受集电极-发射极过压而损坏。

在GE开路时，若在集电极-发射极间加上电压，随着集电极电位的变化，由于漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过，如果此时集电极-发射极处于高电压状态，可能使芯片发热而损坏，这种情况下，若在主回路上加上电压也将导致IGBT损坏，应在IGBT的栅极-发射极之间接一个10K左右的电阻。

手勿接触驱动端子部分，在使用导电材料连接模块的驱动端子时，在配线未布好之前先不要接模块,否则易造成静电损伤。