三星电子承诺今年将加强在HBM芯片市场的地位，回应股东对在利润丰厚的人工智能领域表现不佳的批评。计划最早在今年第二季度供应增强型12层HBM3E，计划在下半年生产先进的HBM4芯片。

SK海力士和三星电子均计划在2025年下半年量产HBM4.HBM4预计将搭载于英伟达计划于2026年下半年推出的下一代AI加速器“Rubin”系列。目前，SK海力士主要供应搭载于英伟达“黑威尔”系列的HBM3E 12层产品。

SK海力士表示，基于其在HBM市场中的技术竞争力和生产经验，提前完成了HBM4 12层样品的出货，并已开始与客户进行认证程序。公司计划在下半年完成量产准备，进一步巩固其在AI存储器市场的领导地位。

HBM4的具体性能首次公开：其数据处理带宽首次达到每秒2TB以上，相当于在1秒内处理400部以上全高清(FHD)电影(每部约5GB)的数据，比上一代(HBM3E)快60%以上。SK海力士通过应用其在前代产品中验证过的先进MR-MUF工艺，实现了HBM 12层产品中最高的36GB容量。该工艺通过注入液体保护材料来保护芯片间电路，固化后可控制芯片翘曲现象，提高散热性能，从而最大化产品稳定性。

SK海力士计划通过HBM4继续保持其在市场中的主导地位。自2022年推出HBM3以来，SK海力士已率先实现HBM3E 8层和12层产品的量产，并独家供应给英伟达等主要客户，去年因此创下了公司成立以来最高的营业利润。

3月19日，三星举行年度股东大会后，他正式被任命为联席首席执行官。三星未能在HBM市场取得早期领先地位，导致落后于竞争对手SK海力士。

三星表示不会在下一代HBM4和定制芯片上重蹈覆辙。

HBM4内存预计将集成到英伟达即将推出的Rubin GPU架构中。三星已决定修改HBM3E芯片的设计，通过英伟达的验证。英伟达的验证已经酝酿了很长时间，因为三星努力追赶海力士，后者是首选合作伙伴，为AI芯片提供最先进的HBM。

据悉，在强劲的人工智能和移动需求的推动下，未来几个季度存储市场将复苏，这将提振三星下半年的盈利。

HBM对于高性能计算任务至关重要，它为存储制造商提供了一种有利可图的方式，让他们能够参与人工智能训练和开发方面的大量支出。与其他类型的内存不同，HBM的生产难度，导致利润丰厚，而且不易受到供需平衡大幅波动的影响。

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