重大好消息！

工信部发文推广国产光刻机，这说明“工业皇冠上的明珠”又被中国突破了。

光刻机，这个被西方称为至高无上的神话，如今已到神话破灭的地步了。

国产光刻机突破

前不久，工业和信息化部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知。

里面提到了两款国产光刻机，分别是氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）光刻机。

前者分辨率≤110nm，套刻≤25nm；

后者分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

有不明真相的网友一看到8nm，马上兴奋的不行，认为中国可以生产8nm芯片了。

有一说一，国产光刻机的突破，确实是令国人振奋的好消息。

但还是要泼个冷水，这里提到的8nm，其实并不是目前市场主流的数字。

在芯片行业里，有套刻精度和量产工艺两个概念。

我们经常见到的7nm、5nm、3nm这样的属于量产工艺，也就是已经大规模量产的工艺制程。

而这次公布出来的8nm，跟它们不一样。

众所周知，芯片的制造过程，实际上是将很多层的光刻图案一层一层的实现，并堆叠而成。

一层图案光刻完成后，需要再在上面继续进行下一层图案的光刻。

而每一层光刻层之间的对准精度，就是套刻精度。

如果按套刻精度与量产工艺1：3的关系，那么这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。

这也就说明，国产28nm光刻机已经被攻克下来。

而如果通过多重曝光，最大极限能制造8nm芯片，注意哈，是最大极限。

因为还要考虑到多重曝光的成本与良品率等问题，所以不一定能生产8nm芯片。

再者，国产光刻机属于DUV光刻机，跟荷兰阿斯麦最先进的EUV光刻机，完全不一样。

简单来说，EUV光刻机可以生产5nm以下制程的芯片。

比如，苹果iPhone16里面的3nm芯片就是它生产的。

并且，由于EUV光刻机采用了极紫外光源，在芯片制作过程中，只需要一次曝光就能完成。

比DUV光刻机需要曝光多次相比，大大减少了步骤。

而放眼全球，EUV光刻机只有阿斯麦一家能制造。

如果说，EUV光刻机是人类半导体工业皇冠上的明珠，那么阿斯麦就相当于握着最亮明珠的那个厂商。

那么，我们现在制造出来的DUV光刻机，相当于阿斯麦多少年前的水平呢？

2006年，阿斯麦发布的XT：1450的光刻机，其分辨率≤57nm，套刻≤7nm。

2015年，阿斯麦发布的TWINSCAN XT：1460K的光刻机，其分辨率≤65nm，套刻≤5nm。

分辨率一样，但套刻精度，阿斯麦的光刻机明显比我们高。这意味着在良率水平上，阿斯麦要高一点。

换句话说，如果看套刻精度的话，那么国产DUV光刻机性能，差不多是阿斯麦18年前的水平。

结尾

好消息是，之前曾叫嚣就算给图纸，中国也造不出来光刻机的那些人，这次被狠狠的打脸了。

不那么好的消息是，这次公布出来的国产光刻机，还不足以打破美西方国家对我们的封锁。

但是呢，按照“装备一代、研发一代、预研一代”的传统，此次曝光出来的光刻机，肯定不是中国最先进的。

要知道，之前华为Mate60 Pro的麒麟9000s芯片，以及如今Pura70的麒麟9010芯片，均采用的是7nm制程，而且完全由中国自主生产制造。

再者说，阿斯麦家的光刻机，也不是它一家弄出来的，而是集合了所有西方主流发达国家的技术和人才。

据悉，其精密零部件超过10万多个。

其中90%的零部件，涉及到来自超过40多个国家的5000多家供应商。

比如镜头是德国蔡司的，特殊复合材料是日本的，精密机床是瑞典的，控制软件跟光源是美国的，而且个个都是业内顶尖厂商。

但中国是纯靠自己，又一次凭一己之力单挑“联合国军”。

虽然还是处于下风，但至少解决了从0到1的突破。

一旦这个完成后，再从1到100，路就好走了，突破的节奏必然更快。