作者: 台湾大学

提出了一种栅极可控 TMD 自旋阀，用于实现节能的自旋电子存储器，在室温下提供出色的读写性能。图片来源：《合金与化合物杂志》（2024 年）。DOI：10.1016/j.jallcom.2024.177487

人工智能 (AI) 和物联网 (IoT) 等技术的快速发展提高了对高速、节能存储设备的需求。传统存储技术通常难以在性能和功耗之间取得平衡。

自旋电子器件利用电子自旋而非电荷，是一种很有前途的替代方案。尤其是 TMD 材料，因其独特的电子特性和微型化潜力而颇具吸引力。

研究人员提出开发栅极可控的 TMD 自旋阀来应对这些挑战。通过集成栅极机制，这些设备可以调节自旋传输特性，从而实现对内存操作的精确控制。这种方法旨在增强隧道磁阻 (TMR) 比率、提高自旋电流密度并降低读写过程中的功耗。这项研究发表在《合金与化合物杂志》上。

这项研究表明，栅极可控 TMD 自旋阀可以显著提高性能指标。例如，据报道 TMR 比率超过 4000%，表明自旋相关传输非常高效。此外，所提出的设备还具有超低功耗，某些配置的运行功耗约为 80 μW，并保持高达 0.9 的高自旋极化率。

这些发现表明，基于 TMD 的自旋电子存储设备非常适合需要高速、节能存储解决方案的下一代应用。

更多信息： Shih-Hung Cheng 等人，用于自旋电子存储器的栅极可控二维过渡金属二硫属化物，《合金与化合物杂志》（2024 年）。DOI ：10.1016/j.jallcom.2024.177487

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