一、核心技术自主化能力IGBT芯片全栈技术自主研发第七代微沟槽技术（对标英飞凌第七代），2024年车规级芯片良率突破92%（行业平均85%）4快恢复二极管（FRD）芯片反向恢复时间缩短至25ns（国际竞品30-35ns）4碳化硅（SiC）技术储备1200V SiC MOSFET量产良率达75%（Wolfspeed约80%），计划2026年推出8英寸衬底技术4车用SiC模块热阻降低至0.15℃/W（国际领先水平0.12℃/W）5二、应用场景深度绑定高增长赛道

应用领域

产品渗透率（2024）

核心客户案例

技术优势

新能源汽车

32%（国内）

比亚迪、蔚来、特斯拉

750V IGBT模块效率98.5%

光伏逆变器

28%（全球）

华为、阳光电源、SMA

适配1500V系统拓扑优化

工业变频器

19%（全球）

汇川技术、ABB、西门子

故障率低于0.2%/千小时

三、全球化供应链布局产能布局嘉兴基地（月产30万片IGBT模块） + 欧洲研发中心（匈牙利工厂2025年投产，覆盖欧洲车厂需求）5与沪硅产业合作开发12英寸IGBT晶圆，成本降低18%4客户粘性前五大客户合作周期平均7.3年（行业平均4.5年），定制化开发响应速度领先国际厂商30%5四、财务与技术投入对比

指标

斯达半导（2024H1）

英飞凌（2024H1）

中车时代电气（2024H1）

研发投入占比

14.7%

12.9%

9.8%

IGBT毛利率

42.3%

48.1%

37.5%

专利授权量/年

217件

389件

132件

五、未来增长引擎车规级芯片扩产2025年规划车用模块产能提升至500万只/年（2023年270万只），满足全球15%新能源汽车需求5第三代半导体突破计划2026年实现SiC模块成本降至IGBT的1.8倍（当前2.5倍），推动光伏/储能领域替代加速4结论

斯达半导构建了“技术迭代+场景绑定+全球供应”三位一体护城河：

技术层面：IGBT全栈技术比肩国际一线，SiC加速缩小差距商业层面：新能源赛道深度绑定，客户粘性构建壁垒战略层面：产能全球化对冲地缘风险，成本优势持续强化预计2025-2030年将保持20%以上复合增长率，成为全球功率半导体TOP3的有力竞争者。