很多人都以为芯片发展是中国的短板，实际上这个说法有点“模糊”，准确来说硅基芯片才是我国目前的短板，但目前这项短板也在进一步弥补。

不过实际上硅基芯片并不是我国目前的主要战略部署，此前有消息称中科院获得3nm芯片技术突破，并且将在2023年开始量产。

大家可能会有疑问，作为一直以来无法突破10nm以下工艺硅基芯片的我国，如今却突然可以实现量产3nm芯片，是不需要用光刻机了吗？可以取代台积电3nm工艺吗？

对于这2个问题，接下来给大家解释一下，首先我国目前针对于硅基芯片的量产技术依旧保持在10nm制程，并且暂时没有14nm以下制程的芯片进行量产商用。

同时针对于光刻机自研技术保持在22nm工艺，也就是成功研发的超分辨率光刻机，目前已经投入量产。

仅拥有硅基芯片10nm以上工艺制程量产技术和22nm工艺制程光刻机自研技术的中国，是怎么做到即将量产3nm芯片呢？

其实这里有一个误区，那就是中科院官宣的3nm芯片技术获得突破，指的是3nm光子芯片，而不是硅基芯片，提及光子芯片，想必大家都记起来了。

由于我国在硅基芯片方面的发展历程比较短，所以落后世界领先技术，以至于目前台积电和三星的硅基芯片都已经升级到3nm工艺了，中国却依旧保持在10nm及以上工艺制程。

但中国很早就意识到倘若芯片工艺无法自主生产，那么将会一直被“卡脖子”，所以不仅针对于硅基芯片方面进行研发跟进，对于当时很多国家都只是在假设阶段的光子芯片，就已经开始大力研发。

直到如今，中科院终于带来了3nm光子芯片技术突破，根据目前消息显示，我国已经开始建造3nm光子芯片生产线，预计2023年内开始量产阶段，2024年开始进入商用阶段。

值得一提的是光子芯片不同于传统半导体硅基芯片，不需要采用光刻机进行量产，这也解决了我国缺少EUV光刻机的遗憾。

关于第二个问题，可以取代台积电3nm工艺吗？答案是不行，虽说光子芯片的计算能力非常强大，较比同工艺的硅基芯片强大1000倍，功耗更是仅仅只有硅基芯片的9万分之一。

但目前依旧不行，对此有2点原因，其一就是光子芯片目前尚不成熟，生态方面尚未完善，良率也尚未确定，较比一直以来常用且熟悉的电子芯片差距不小。

其二就是材质不同导致能够实现的效果不同，采用了InP、GaAS等二代化合物以至于只能满足数据中心、激光雷达、通信、微波光子、医疗检测等领域需求。

举例，例如目前高通旗下的通用手机电子芯片就无法替代，不过量子芯片倒是有机会实现替代，可惜正在研发中。

虽说光子芯片在不少领域都无法替代通用电子芯片，但针对于其计算能力，完善后加以采用，将会给中国的科技领域带来不小的助力。

不过电子芯片和量子芯片也同样不会懈怠，毕竟全面实现自给自足才能完全避免被“卡脖子”的风险，所以祖国加油！

那么大家对如今中科院取得3nm芯片技术突破这件事怎么看？欢迎评论区留言！