近日，中国科技界传来两则令人振奋的消息，显示出中国在高端芯片制造领域的技术进步和自主创新能力。
首先，华为公司发布了其最新款的智能手机Mate 60 Pro，宣称其搭载了全球首个采用7纳米制程工艺的芯片——麒麟9000S。这款芯片由华为自主设计和中芯国际生产，具有64个内核、2.6GHz的主频、集成5G基带和Maleoon 910 GPU等先进特性，综合性能已经接近甚至超越5纳米范围内的其他产品。这意味着华为已经突破了美国对其芯片供应的限制，并且在芯片技术上实现了国际领先。
其次，清华大学工程物理系唐传祥教授研究组与国际合作团队在《自然》杂志上发表了一篇论文，报道了一种新型粒子加速器光源“稳态微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB）的首个原理验证实验。基于SSMB原理，能获得高功率、高重频、窄带宽的相干辐射，波长可覆盖从太赫兹到极紫外（EUV）波段，有望为光子科学研究提供广阔的新机遇。SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源，这是国际社会高度关注清华大学SSMB研究的重要原因。
EUV光刻是集成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤，EUV光源是EUV光刻机的核心基础。目前世界上只有荷兰ASML公司能够提供EUV光刻机，并且价格昂贵。而大功率EUV光源的突破对于EUV光刻进一步的应用和发展至关重要。唐传祥教授表示，“基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。”这需要SSMB EUV光源的持续科技攻关，也需要上下游产业链的配合，才能获得真正成功。
这两则消息无疑为中国在高端芯片制造领域带来了新的希望和信心。中国正努力实现芯片自主研发和制造的目标，为推动科技创新和经济发展做出贡献。
