前段时间，我们三易生活在《UFS4.1闪存“偷偷”发布？却出现了两套说辞》中“辟谣”UFS4.1闪存标准时曾指出，UFS4.1标准最“坏”的地方，就在于（相比UFS4.0标准）增加了对QLC闪存类型的支持。这样一来，未来就有可能会出现名义上是UFS4.1“旗舰闪存”，但实际却用着廉价QLC颗粒“浑水摸鱼”的机型。

这绝不是我们在危言耸听，因为在UFS4.1标准公布之前，市面上那些UFS3.1闪存的手机里，其实就已经有相当一部分是使用QLC闪存了。

更有意思的是，根据我们了解到的实际情况，在这类机型中，许多型号的128GB、256GB“小容量”版本，实际上用的反而会是品质相对较高的TLC闪存，只有在512GB、特别是1TB的版本里，换用QLC闪存的概率才会大幅增加。

QLC闪存机型往往会表现出较低的随机写入性能，这其实也是辨别方法之一

其实这也不难理解，一方面闪存技术从最初的SLC一路发展到MLC、TLC、QLC，以及（因为性能太差目前实在没法上市的）PLC，每一次“改进”理论上都会带来容量的翻倍提升，以及性能、寿命和成本的大幅降低。

如此一来，对于“小容量闪存颗粒”来说，TLC一方面是已经足够廉价，另一方面则由于闪存的整体寿命既与类型有关，也和容量成正比，所以这也是为什么现在通常只有大容量的手机闪存才会“敢用”QLC的原因。

当然，有些朋友可能会说，QLC也没有什么不好的，它毕竟便宜，可以让更多人买得起大容量存储的手机。再说了，虽然QLC的寿命只有500-1000次全盘写入、仅为TLC的三分之一左右，但对于1TB的QLC闪存来说，也意味着至少500TB的写入寿命，对于一般的用户来说，得多少年才能用完这500TB的“额度”呢？

尽管道理确实是这样，但问题就在于，对于任何使用闪存的设备来说，重要的都不只是意味着闪存完全损坏的“寿命”，还有个概念是“缓外速度”，也就是一旦闪存的缓冲区用完之后的“真实写入性能”。对于智能手机里的闪存芯片来说，它们本身都不带有额外的缓存芯片，所以一旦容量被用得比较厉害之后，就会不可避免地“掉速”、甚至是进入缓外模式。

对于品质较高的TLC闪存手机来说，闪存掉速之后，用户可能会觉得日常操作没过去那么流畅，打开或安装软件的速度也都会变慢一些。但大家要知道，QLC的缓外写入性能，那可是出了名的比机械硬盘还要低。换句话说，使用QLC闪存的机型一旦遭遇闪存掉速问题，可就不只是会“变得有点慢”了，日常卡顿、甚至是卡出各种奇怪的BUG都是常有的事。

正是因为这样，过去我们就曾建议过大家，谨慎购买廉价机型的大容量版本（特别是当不同容量价差很小的时候，更是格外需要注意）。但那个时候，因为UFS4.0“原生不支持”QLC，所以起码旗舰机还是可以令人安心的。

但根据我们三易生活最近刚刚获得的第一手爆料，就在今年下半年，手机行业就会有基于QLC闪存的UFS4.1方案，被用到新发布的机型上。

可以想见的是，届时各家真正的旗舰机还是肯定会很“自觉”，他们不太可能用QLC闪存砸自家招牌。所以大家真正需要“警惕”的，是届时一些“次旗舰”或是“高性价比”定位，同时还高调宣称用了“UFS4.1”，并且能提供廉价高容量版本的机型。当然，除非相关厂商能够明确保证，没有使用QLC闪存颗粒才行。

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