高通（Qualcomm）作为无晶圆厂（Fabless）半导体设计公司，其核心业务聚焦于芯片设计与技术研发，而非直接参与半导体材料的基础研究。但通过供应链合作和技术需求推动，高通在材料应用领域仍有关键布局。以下是其相关进展的梳理： 一、高通在半导体材料领域的间接参与 1. 先进制程材料适配 技术需求：高通设计的5G、AI和汽车芯片需依赖台积电、三星等代工厂的先进制程（如7nm、5nm及以下），推动对新型材料的需求：EUV光刻胶：支持极紫外光刻技术，提升芯片微缩能力。低介电常数（Low-k）材料：减少芯片互连层信号延迟和功耗。合作模式：通过联合开发优化材料与设计兼容性，例如与代工厂共同测试新型电介质材料。2. 第三代半导体应用 碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）：汽车芯片研发：2023年高通在成都落地汽车芯片研发中心，重点开发支持自动驾驶和智能驾舱的芯片。尽管高通未直接研发SiC/GaN材料，但其芯片设计需适配第三代半导体器件（如车载功率模块），间接推动材料供应链升级。射频前端（RFFE）：GaN材料在高频、高功率场景的应用（如5G基站）中，高通通过芯片设计优化与代工厂合作提升能效。二、具体合作项目 1. 成都汽车芯片研发中心（2023年） 目标：开发智能驾驶和车联网芯片，适配新能源汽车需求。材料关联：与碳化硅器件供应商（如天科合达、泰科天润）合作，优化芯片与第三代半导体功率模块的集成方案。进展：项目落地后，预计推动车规级SiC MOSFET在电源管理系统的应用。2. 多源代工策略与材料创新 合作对象：台积电、三星、中芯国际等。技术推动：先进封装材料：支持3D封装技术（如Fan-Out），推动高密度互连材料（如铜柱凸块、底部填充胶）的研发。异构集成：通过Chiplet设计需求，促进硅中介层（Interposer）和混合键合（Hybrid Bonding）材料的优化。三、行业影响与挑战 1. 供应链协同创新 代工厂主导材料研发：高通依赖台积电等合作伙伴的制程突破，例如台积电的3nm FinFlex技术需新型高迁移率沟道材料。政策支持：美国《芯片与科学法案》对本土材料研发的补贴（如EUV胶国产化），可能间接惠及高通供应链。2. 技术瓶颈 热管理材料：5G和AI芯片的高功耗对散热材料（如金刚石衬底、石墨烯导热膜）提出更高要求，高通需与材料供应商联合开发解决方案。成本压力：先进制程材料（如High-NA EUV光刻胶）成本攀升，可能影响芯片定价策略。四、未来趋势 AI驱动材料需求：高通下一代AI芯片（如Cloud AI 100）将推动存算一体架构，需新型非易失性存储材料（如MRAM、ReRAM）。汽车电子材料升级：与车企合作开发碳化硅兼容的电源管理芯片，加速SiC衬底和外延片国产化进程。可持续性：推动绿色制造材料（如无铅焊料、生物基封装树脂）的应用，响应ESG要求。总结 高通虽不直接从事半导体材料的基础研究，但其芯片设计需求深刻影响材料技术创新方向。通过代工厂合作、多源供应链策略及终端应用驱动（如5G、汽车电子），高通在先进制程材料、第三代半导体应用等领域间接推动行业进步。未来，其研发重心仍将聚焦设计优化，但材料适配能力是维持技术领先的关键支撑。